[发明专利]表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶、其制备和应用有效
| 申请号： | 201910550638.5 | 申请日： | 2019-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN110205118B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王磊;范连伟;阳妃 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;H01L51/42;H01L51/50 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于光电材料领域，更具体地，涉及一种表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶、其制备和应用，在采用配体辅助法制备金属卤化物钙钛矿纳米晶的过程中，加入相对金属卤化物过量的A位一价阳离子的卤化物，过量的A位一价阳离子的卤化物取代部分表面活性配体，填补钙钛矿纳米晶表面的部分缺陷位，实现钙钛矿纳米晶表面缺陷的钝化，得到表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶。所得纳米晶胶体溶液分散性好、能实现稳定的光致发光、发光效率高、色纯度高。该方法成本低、操作简单、重复性高。将这种方法制备得到的钙钛矿纳米晶应用到电致发光二极管中时，由于表面配体的减少、改善了其导电性能，器件效率得到大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 缺陷 钝化 金属 卤化物 钙钛矿 纳米 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶的制备方法，其特征在于，在采用配体辅助法制备金属卤化物钙钛矿纳米晶的过程中，加入相对金属卤化物过量的A位一价阳离子的卤化物，该A位一价阳离子为位于所述钙钛矿纳米晶晶格中八面体间隙中的一价阳离子；所述金属卤化物为占据所述钙钛矿纳米晶晶格中八面体位置的金属卤化物；过量的所述A位一价阳离子的卤化物取代部分表面活性配体，填补所述钙钛矿纳米晶表面的部分缺陷位，实现所述钙钛矿纳米晶表面缺陷的钝化，得到表面缺陷钝化的金属卤化物钙钛矿纳米晶。
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