[发明专利]三维半导体器件

摘要

提供了一种三维半导体器件，所述三维半导体器件包括：下部结构；位于所述下部结构上的堆叠结构，所述堆叠结构包括：下组，所述下组包括在垂直方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极，以及上组，所述上组包括在所述垂直方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极，所述下组和所述上组在所述垂直方向上堆叠；以及垂直结构，所述垂直结构穿过所述堆叠结构。所述垂直结构可以包括垂直芯图案、位于所述垂直芯图案中的垂直缓冲部分以及垂直半导体层。所述垂直结构可以包括穿过所述下组的下垂直部分和穿过所述上组的上垂直部分，所述下垂直部分的上部区域的宽度大于所述上垂直部分的下部区域的宽度。所述垂直缓冲部分位于所述下垂直部分中并位于所述上垂直部分下方。

主权项

1.一种三维半导体器件，所述三维半导体器件包括：/n下部结构；/n堆叠结构，所述堆叠结构在所述下部结构上，所述堆叠结构包括：/n下组，所述下组包括在垂直方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极，所述垂直方向是与所述下部结构的上表面垂直的方向，/n上组，所述上组包括在所述垂直方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极，/n所述下组和所述上组在所述垂直方向上堆叠；以及/n垂直结构，所述垂直结构穿过所述堆叠结构，其中，/n所述垂直结构包括垂直芯图案、位于所述垂直芯图案中的垂直缓冲部分以及包围所述垂直芯图案的外侧表面的垂直半导体层，/n所述垂直结构包括穿过所述下组的下垂直部分和穿过所述上组的上垂直部分，/n所述下垂直部分的上部区域的宽度大于所述上垂直部分的下部区域的宽度，并且/n所述垂直缓冲部分位于所述下垂直部分中并位于所述上垂直部分下方。/n