[发明专利]一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构与方法有效
| 申请号： | 201910446516.1 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110164839B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 崔成强;俆广东;杨冠南;张昱;张凯;陈新 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 44379 佛山市禾才知识产权代理有限公司 | 代理人： | 单蕴倩;梁永健 |
| 地址： | 510006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构，包括塑封层，以及封装固化于塑封层中露出功能面凸点的芯片；塑封层下有一层或多层介电层；介电层内有热压入的高密度嵌入再布线层；通过激光打孔贯穿嵌入的再布线层和介电层，电镀填充铜形成铜柱，实现介电层上面线路及下面线路电连接；高密度再布线层的外表面除了焊球的位置外均设置有介电层。本发明根据上述内容提出一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构与方法，利用晶圆级制程设备制备再布线层，并进行线路转移，形成嵌入式再布线层，实现亚微米级的再布线线距，在相同芯片面积下可满足更多数量I/O连接。 | ||
| 搜索关键词： | 再布线层 介电层 嵌入 高密度线路 扇出型封装 塑封层 芯片 多层介电层 封装固化 激光打孔 线路转移 亚微米级 制程设备 电连接 功能面 晶圆级 嵌入的 嵌入式 再布线 电镀 焊球 热压 铜柱 凸点 线距 填充 制备 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种高密度线路嵌入转移的扇出型封装结构，其特征在于：包括塑封层，以及封装固化于所述塑封层中露出功能面凸点的芯片；/n所述塑封层下有一层或多层介电层；/n所述介电层内有热压入的高密度嵌入再布线层；/n通过激光打孔贯穿嵌入的再布线层和介电层，电镀填充铜形成铜柱，实现介电层上面线路及下面线路电连接；/n所述高密度再布线层的外表面除了焊球的位置外均设置有介电层。/n
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