[发明专利]形成钝化层的方法、含钝化层的基底及钝化层去除方法在审
| 申请号： | 201910371982.8 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110429018A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 米歇尔·格莱姆斯;林宇源 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 陈万青;姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本申请提供了一种在基底上形成钝化层的方法。该方法包括以下步骤：a)在处理室中提供基底，所述基底包括金属表面，其中，所述金属表面为铜、锡或银表面，或为包括铜、锡或银中的一种或多种的合金表面；b)通过气相沉积将至少一个有机层沉积到所述金属表面上，由有机前体形成的所述有机层包括：包括氧、氮、磷、硫、硒、碲或硅中的至少一种的第一官能团；和选自羟基(‑OH)或羧基(COOH)的第二官能团；其中，所述第一官能团吸附在所述金属表面上；和c)通过气相沉积将至少一个无机层沉积到所述有机层上，其中所述第二官能团用作无机层的附着位点。本申请还涉及具有所述钝化层的基底及从所述基底去除或降解钝化层的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化层 基底 金属表面 有机层 气相沉积 无机层 去除 沉积 附着位点 合金表面 有机前体 银表面 降解 吸附 羟基 羧基 申请 | ||
【主权项】：
1.一种在基底上形成钝化层的方法，所述方法包括以下步骤：a)在处理室中提供基底，所述基底包括金属表面，其中，所述金属表面为铜、锡或银表面，或为包括铜、锡或银中的一种或多种的合金表面；b)通过气相沉积将至少一个有机层沉积到所述金属表面上，由有机前体形成的所述有机层包括：第一官能团，包括氧、氮、磷、硫、硒、碲或硅中的至少一种；和第二官能团，选自羟基(‑OH)或羧基(‑COOH)；其中，所述第一官能团吸附在所述金属表面上；和c)通过气相沉积将至少一个无机层沉积到所述有机层上，其中所述第二官能团用作无机层的附着位点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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