[发明专利]ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构有效
申请号: | 201910357615.2 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN110085584B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
发明(设计)人: | 肖翔;韩佰祥 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/417;H01L29/786 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;王中华 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种ESD防护薄膜晶体管及ESD防护结构。所述ESD防护薄膜晶体管包括:基板、设于所述基板上的有源层、设于所述有源层及基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上并与所述有源层相对的栅极、设于所述栅极及栅极绝缘层上的层间绝缘层以及设于所述层间绝缘层上的间隔分布的源极及漏极;所述源极具有数个第一静电释放尖端,所述漏极具有分别正对所述数个第一静电释放尖端的数个第二静电释放尖端,通过在源极和漏极上设置正对的静电释放尖端,使得ESD防护薄膜晶体管同时具有薄膜晶体管释放和尖端释放两种静电释放路径,能够提升静电释放效率,防止线路炸伤,保证产品良率。 | ||
搜索关键词: | esd 防护 薄膜晶体管 结构 | ||
【主权项】:
1.一种ESD防护薄膜晶体管,其特征在于,包括:基板(1)、设于所述基板(1)上的有源层(2)、设于所述有源层(2)及基板(1)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上并与所述有源层(2)相对的栅极(4)、设于所述栅极(4)及栅极绝缘层(3)上的层间绝缘层(5)以及设于所述层间绝缘层(5)上的间隔分布的源极(6)及漏极(7);所述源极(6)具有数个第一静电释放尖端(60),所述漏极(7)具有分别正对所述数个第一静电释放尖端(60)的数个第二静电释放尖端(70)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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