[发明专利]一种赝磁性隧道结单元

摘要

本发明赝磁性隧道结单元，在已制造好的适于磁性随机存储器的互补金属氧化物半导体上沉积一层底电极，采用化学机械研磨的方法使底电极平坦化；用旋涂的方法在底电极上依次沉积粘合层和光刻胶层；对外围电路单元区域曝光；对外围电路单元区域显影，除去此区域的粘合层和光刻胶层；对外围电路单元区域的底电极进行表面粗糙化；除去磁性隧道结区域的粘合层和光刻胶层；在外围电路单元区域的底电极之上依次沉积赝磁性隧道结参考层、势垒层和记忆层，在磁性隧道结区域的底电极之上依次沉积磁性隧道结参考层、势垒层和结记忆层，在磁性隧道结记忆层和赝磁性隧道结记忆层之上沉积硬掩模层；采用光刻工艺及刻蚀工艺完成磁性隧道结及赝磁性隧道结的图案化。