[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910314914.8 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110504274A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 山口直 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1159 | 分类号： | H01L27/1159 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李辉<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体装置及其制造方法。形成包含铪、氧和诸如锆的第一元素的第一非晶膜，在第一非晶膜上形成包含与铪、氧和第一元素中的任何一种不同的第二元素的多个晶粒，在多个晶粒和第一非晶膜上形成由与第一非晶膜相同的材料制成的第二非晶膜，以及在第二非晶膜上形成金属膜。此后，通过执行热处理，使第一非晶膜结晶以形成第一斜方铁电膜，并且使第二非晶膜结晶以形成第二斜方铁电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶膜 晶粒 电膜 方铁 半导体装置 热处理 金属膜 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，包括以下步骤：/n(a)形成包含铪和氧的第一非晶膜；/n(b)在所述第一非晶膜上形成包含第一元素的多个晶粒，所述第一元素是铝、碳、氮、氟和钛中的一者；/n(c)在所述多个晶粒和所述第一非晶膜上形成包含铪和氧的第二非晶膜；/n(d)在所述第二非晶膜上形成第一金属膜；以及/n(e)在所述步骤(d)之后执行热处理，从而使所述第一非晶膜结晶以形成斜方的第一铁电膜，并且使所述第二非晶膜结晶以形成斜方的第二铁电膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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