[发明专利]腔室压力控制方法及装置、半导体设备有效
申请号: | 201910314577.2 | 申请日: | 2019-04-18 |
公开(公告)号: | CN111831022B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 郑文宁;赵迪;陈正堂 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创流量计有限公司 |
主分类号: | G05D16/20 | 分类号: | G05D16/20;C23C14/54;C23C16/52 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京市北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种腔室压力控制方法及装置、半导体设备,该方法包括以下步骤:S1,检测腔室内部的实际压力值;S2,计算实际压力值与预设的目标压力值的差值;判断差值是否超出预设范围,若超出,则进行步骤S3;若未超出,则流程结束;S3,获取控制系数,该控制系数为曲率与预设的PID系数的乘积,该曲率为与当前的气体流量值对应的关于压力和位置参数的曲线中,与执行单元的当前的位置参数值相对应的曲率;S4,基于差值和控制系数计算获得执行单元的位置参数调整量,向该执行单元输出,返回步骤S2。本发明提供的腔室压力控制方法及装置、半导体设备的技术方案,可以精确快速的控制腔室内压力,使之稳定在预设范围内,从而可以提高工艺质量和成品率。 | ||
搜索关键词: | 压力 控制 方法 装置 半导体设备 | ||
【主权项】:
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