[发明专利]一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法在审
| 申请号： | 201910290610.2 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN111816763A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种磁性隧道结存储阵列单元及其外围电路的制备方法包括：在存储阵列单元区域，采用在金属连线Mx之上，依次制作底电极通孔、底电极、磁性隧道结和顶电极，底电极通孔、底电极、磁性隧道结和顶电极依次对齐；在外围电路单元区域，则采用底电极通孔和可电学导通的赝磁性隧道结底电极、赝磁性隧道结、赝磁性隧道结顶电极直接相连接的方式实现，底电极通孔、赝磁性隧道结底电极、赝磁性隧道结、赝磁性隧道结顶电极依次对齐；最后，在存储阵列单元区域的顶电极和外围电路单元区域的赝磁性隧道结顶电极之上制作一层Cu位线连线以在外围电路单元区域和存储阵列单元区域分别实现从金属连线Mx到位线之间的有效连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 隧道 结存 阵列 单元 及其 外围 电路 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海磁宇信息科技有限公司，未经上海磁宇信息科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910290610.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
