[发明专利]一种离子注入机稳定性的监控方法在审
| 申请号： | 201910282793.3 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110006727A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 黄泽军 | 申请（专利权）人： | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32;G01N27/04 |
| 代理公司： | 深圳众邦专利代理有限公司 44545 | 代理人： | 崔亚军 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入机稳定性的监控方法，包括以下步骤：S1、先取光硅片，并生长氧化层；S2、对生长氧化层的光硅片进行离子注入，且将离子注入的浓度峰值注入在硅和氧化层的交界面；S3、进行快速热处理，激活杂质，形成导电层；S4、去除氧化层；S5、对去除氧化层的导电层进行电阻值的测试，确认电阻稳定性；S6、对导电层进行多次定频监控；本发明改变现有的注入机台监控方式，对注入机能量和剂量的稳定性监控都能起到很好的作用，大大降低因机台的波动而造成批量产品的失效报废的机率，具有良好的市场应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 导电层 机台 离子注入机 光硅片 去除 监控 离子 电阻稳定性 快速热处理 稳定性监控 监控方式 批量产品 市场应用 生长 交界面 注入机 电阻 定频 报废 激活 测试 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入机稳定性的监控方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、先取光硅片，并生长氧化层；S2、对生长氧化层的光硅片进行离子注入，且将离子注入的浓度峰值注入在硅和氧化层的交界面。S3、进行快速热处理，激活杂质，形成导电层；S4、去除氧化层；S5、对去除氧化层的导电层进行电阻值的测试，确认电阻稳定性；S6、对导电层进行多次定频监控。
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