[发明专利]一种超细晶二氧化铪陶瓷的电场辅助快速烧结方法在审
| 申请号： | 201910166428.6 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN109734445A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 张帆;周楚同;张金咏;王为民;傅正义 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/486 | 分类号： | C04B35/486;C04B35/64 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 苏敏 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超细晶二氧化铪陶瓷的电场辅助快速烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：1)称取HfO2粉体，压制成坯体；2)提供电场辅助烧结装置；3)把样品放入电场辅助烧结设备的上电极和下电极之间，利用至少两个辐射加热发热体使样品温度升至800‑1300℃后，开始进入保温阶段；4)进入保温阶段的同时将样品两端的电压分多次升高，然后关闭样品两端电压和辐射加热设备，使样品自然冷却至室温，即得到所述超细晶二氧化铪陶瓷。本发明应用直流电场辅助烧结技术，对二氧化铪陶瓷进行快速制备，并通过调控阈值温度、场强、电流等工艺条件获得致密度高、晶粒大小均匀的二氧化铪陶瓷材料。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化铪 电场辅助 超细晶 陶瓷 保温阶段 快速烧结 样品两端 场强 辐射加热设备 应用直流电 晶粒 辐射加热 工艺条件 快速制备 烧结技术 烧结设备 烧结装置 陶瓷材料 样品自然 成坯体 发热体 下电极 电极 称取 放入 粉体 冷却 升高 压制 调控 | ||
【主权项】：
1.一种超细晶二氧化铪陶瓷的电场辅助快速烧结方法，其特征在于，包括如下步骤：1)称取HfO2粉体，在100‑200MPa下压制成坯体；2)提供电场辅助烧结装置，所述电场辅助烧结装置包括电场辅助烧结设备和辐射加热设备；所述电场辅助烧结设备包括上电极和下电极，样品设置于所述上电极和下电极之间，所述辐射加热设备包括至少两个辐射加热发热体，所述至少两个辐射加热发热体设置于样品的两侧，电流通过上电极和下电极对样品进行电流加热；3)把样品放入电场辅助烧结设备的上电极和下电极之间，利用至少两个辐射加热发热体使样品温度升至800‑1300℃后，开始进入保温阶段；4)进入保温阶段的同时将样品两端电压升高至180‑220V，保温保压8‑15min，再将电压升高至230‑270V，保温保压8‑15min，继续将电压升高至280‑300V，保温保压8‑15min，最后将电压升至320V‑360V，升至320V‑360V后控制截止电流值在1‑5A且维持60‑180s后关闭样品两端电压和辐射加热设备，使样品自然冷却至室温，即得到所述超细晶二氧化铪陶瓷。
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- 掺杂氧化锆陶瓷-200980147830.4
- J·宾纳;巴拉苏布拉马尼亚姆·韦德亚那森;K·安纳普拉尼;阿内什·保罗 - 拉夫伯勒大学
- 2009-11-27 - 2011-11-02 - C04B35/486
- 本发明提供了平均粒径为约190nm或更低并且由四方氧化锆晶相组成的掺杂氧化锆陶瓷作为湿热稳定性材料的用途或者在要求使用湿热稳定性材料的应用中的用途。本发明还提供了平均粒径为约190nm或更低并且由四方氧化锆组成的掺杂氧化锆陶瓷，其在温度高达约245℃、压力高达7巴的高压灭菌器的湿气中老化持续达504小时的过程中不经历由四方晶至单斜晶的可检测的转化。
- 锆衍生物粉末-200980147912.9
- 纳比尔·纳哈斯;尼科尔·里沃 - 法商圣高拜欧洲实验及研究中心
- 2009-09-30 - 2011-10-26 - C04B35/486
- 本发明涉及粉末，其具有最大粒径D99.5小于200nm，按数量计包含超过20％的聚集的或非聚集的核心颗粒，该颗粒具有的球形指数小于0.6，且由式M(OH)x(N’)y(OH2)z的锆和/或铪衍生物形成，M为Zr4+、Hf4+或Zr4+和Hf4+的混合物，N’为阴离子或阴离子混合物，下标x和y为精确的正数，下标z为正数或零，所述物质在低于20℃的温度下具有的水溶解度为小于10-3mol/l，所述衍生物可能是掺杂的或不掺杂的。本发明可以用于催化和过滤。
- 锆氧化物粉末-200980147911.4
- 纳比尔·纳哈斯;尼科尔·里沃 - 法商圣高拜欧洲实验及研究中心
- 2009-09-30 - 2011-10-26 - C04B35/486
- 本发明涉及一种粉末，该粉末的最大粒径D99.5小于200μm，孔隙度指数Ip大于2，该孔隙度指数等于比例Asr/Asg，其中Asg是粉末的颗粒的理论几何比表面积；和Asr是通过BET方法测量的实际比表面积，和/或，当所述粉末的基础颗粒的所有维度上的尺寸大于50nm时，比表面积大于10m2/g，并且中孔和微孔体积之和大于0.05cm3/g。超过20％的所述粉末是由聚集的或非聚集的基础颗粒形成的，所述基础颗粒的所有维度上的尺寸大于200nm、球形指数小于0.6、并且由式MOx的锆和/或铪氧化物所形成，其中M为Zr4+、Hf4+或者Zr4+和Hf4+的混合，x为非零正数。
- 浇铸陶瓷片的方法和设备-200980143708.X
- L·克斯特;T·D·凯查姆;B·S·柯克;D·J·圣朱利安 - 康宁股份有限公司
- 2009-10-29 - 2011-09-28 - C04B35/486
- 一种制备自立式陶瓷薄片的方法，可包括以约2cm/min到约500cm/min的速度牵引载体膜贴近浇铸头并越过带材浇铸机的浇铸床。用浇铸头在载体膜上沉积低于约150μm的陶瓷粉浆薄膜。陶瓷粉浆可以包含分散在流体载剂中极限晶体尺寸低于约10μm的陶瓷粉末，使得陶瓷粉浆中的陶瓷固体的分数超过约20体积％。沉积的陶瓷粉浆可以在载体膜上干燥从而在载体膜上形成生陶瓷片。生陶瓷片干燥后，生陶瓷片可以被烧结。
- 具有石榴石结构的离子导体-200880023221.3
- W·韦普纳 - 巴斯夫欧洲公司
- 2008-07-02 - 2011-01-19 - C04B35/486
- 本发明涉及具有石榴石型结构的化学稳定固体离子导体在电池、蓄电池、电致变色装置和其它电化学电池中的用途，还涉及适用于这些用途的新化合物。
- 专利分类
