[发明专利]并发性检测电路、光子检测器、脉冲式TOF传感器以及其实现方法在审

专利信息
申请号: 201910147117.5 申请日: 2019-02-27
公开(公告)号: CN109799496A 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 徐渊;潘安;王育斌;黄志宇;陈享 申请(专利权)人: 深圳市光微科技有限公司
主分类号: G01S11/12 分类号: G01S11/12;G01J1/44
代理公司: 深圳快马专利商标事务所(普通合伙) 44362 代理人: 赵亮;刘朗星
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种用于单光子雪崩二极管宏像素的并发性检测电路、光子检测器、脉冲式TOF传感器以及其实现方法,单光子雪崩二极管宏像素包括至少一组单光子单元,每组单光子单元包括八个单光子雪崩二极管,每个单光子雪崩二极管连接一淬灭电路后输出触发信号,并发性检测电路接收触发信号并输出检测信号,其中,当每组单光子单元中有至少三个单光子雪崩二极管输出触发信号为高电平时,则对应的并发性检测电路输出检测信号为高电平,否则,并发性检测电路输出输出检测信号为低电平。本申请能够有效地避免了单个单光子雪崩二极管被环境光中的光子“误触发”的错误触发信号和雪崩信号产生的干扰,有效提高了飞行时间测量的准确性。
搜索关键词: 单光子雪崩二极管 检测电路 并发性 输出检测信号 触发信号 单光子 光子检测器 宏像素 脉冲式 传感器 输出 飞行时间测量 错误触发 雪崩信号 低电平 高电平 环境光 误触发 有效地 光子 淬灭 高电 申请 电路
【主权项】:
1.一种用于单光子雪崩二极管宏像素的并发性检测电路,其特征在于,所述单光子雪崩二极管宏像素包括至少一组单光子单元,每组所述单光子单元对应一所述并发性检测电路,每组所述单光子单元包括八个单光子雪崩二极管,每个所述单光子雪崩二极管连接一淬灭电路后输出触发信号,所述并发性检测电路接收所述触发信号并输出检测信号,其中,当每组所述单光子单元中有至少三个所述单光子雪崩二极管输出触发信号为高电平时,则对应的所述并发性检测电路输出所述检测信号为高电平,否则,所述并发性检测电路输出输出所述检测信号为低电平。
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