[发明专利]测试样品及其制备方法在审
| 申请号： | 201910099456.0 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109633209A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 魏磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01Q30/20 | 分类号： | G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种测试样品及其制备方法，所述测试样品的制备方法包括：提供一包含目标区域的样品，所述样品由待测半导体样品研磨而成，具有单片晶圆厚度，所述目标区域的待测截面垂直于所述样品的厚度方向；在所述样品的厚度方向上的两侧侧壁粘附陪片晶圆，所述陪片晶圆的表面与所述样品的表面齐平；对所述陪片晶圆和所述样品表面整体进行研磨，直至暴露出所述目标区域的待测截面，研磨后的样品和陪片晶圆整体作为测试样品。上述方法能够提高测试样品的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 测试样品 片晶 目标区域 研磨 制备 半导体样品 表面齐平 单片晶圆 样品表面 侧壁 粘附 垂直 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种测试样品的制备方法，其特征在于，包括：提供一包含目标区域的样品，所述样品由待测半导体样品研磨而成，具有单片晶圆厚度，所述目标区域的待测截面垂直于所述样品的厚度方向；在所述样品的厚度方向上的两侧侧壁粘附陪片晶圆，所述陪片晶圆的表面与所述样品的表面齐平；对所述陪片晶圆和所述样品表面整体进行研磨，直至暴露出所述目标区域的待测截面，研磨后的样品和陪片晶圆整体作为测试样品。
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