[发明专利]微粒制造装置以及微粒制造方法有效
| 申请号： | 201910082964.8 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN110124599B | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 永井久雄;小岩崎刚;大熊崇文 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | B01J19/08 | 分类号： | B01J19/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微粒制造装置以及微粒制造方法，微粒制造装置具备：反应室，沿铅垂方向从下方向上方延伸；材料供给装置，从材料供给口向铅垂上方将材料粒子供给到反应室内；第1电极配置区域，在反应室内的内周壁具有多个下部电极；第2电极配置区域，在比第1电极配置区域更靠铅垂上方的反应室内的内周壁具有多个上部电极；回收部，与反应室内的铅垂上方的另一端侧连接来回收微粒；电源，能变更向下部电极和上部电极中的至少一方的电极施加的交流电力的频率；控制部，将向下部电极施加的交流电力的频率设定为在向上部电极施加的交流电力的频率以上的频率，通过下部电极和上部电极产生电弧放电，从而在反应室内产生等离子体，由材料粒子生成微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 微粒 制造 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微粒制造装置，具备：反应室，沿着铅垂方向从下方朝向上方延伸；材料供给装置，与所述反应室内的铅垂下方的一端侧的中央部连接，从材料供给口朝向铅垂上方将材料粒子供给到所述反应室内；第1电极配置区域，在比所述材料供给装置更靠铅垂上方的所述反应室内的内周壁，具有向朝内的半径方向突出配置且被施加交流电力的多个下部电极；第2电极配置区域，在比所述第1电极配置区域更靠铅垂上方的所述反应室内的内周壁，具有向朝内的半径方向突出配置且被施加交流电力的多个上部电极；回收部，与所述反应室内的铅垂上方的另一端侧连接，对微粒进行回收；电源，能够变更向所述第1电极配置区域中包含的所述下部电极和所述第2电极配置区域中包含的所述上部电极当中的至少一方的电极施加的交流电力的频率；和控制部，将向所述下部电极施加的交流电力的频率设定为在向所述上部电极施加的交流电力的频率以上的频率，通过所述下部电极和所述上部电极产生电弧放电，从而在所述反应室内产生等离子体，由所述材料粒子生成微粒。
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