[发明专利]摄像装置、内窥镜和摄像装置的制造方法有效
申请号: | 201880093596.0 | 申请日: | 2018-07-05 |
公开(公告)号: | CN112136213B | 公开(公告)日: | 2023-10-10 |
发明(设计)人: | 巢山拓郎 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B1/045;H04N23/54;H04N23/55;H04N25/70 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于英慧;崔成哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 摄像装置具有:摄像部,其具有第1主面和第2主面,包含摄像元件,输出摄像信号的外部电极被配设于所述第2主面;以及层叠光学部,其具有入射面和出射面,多个光学部件在各自的光路区域周围的固定区域中被粘接,所述出射面被粘接于第1主面,所述出射面比第1主面大,所述固定区域呈框状,并具有第1区域和第2区域,所述第1区域离出射面的中心轴即光学面中心轴比离多个光学部件的光轴更近,所述第2区域离所述光轴比离所述光学面中心轴更近,所述第1区域的宽度宽于所述第2区域的宽度,所述层叠光学部的光学面中心轴从光轴向所述第1区域的一方偏心,所述摄像部的第1主面的中心轴即摄像面中心轴从所述光轴向配设有所述外部电极的一方偏心。 | ||
搜索关键词: | 摄像 装置 内窥镜 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥林巴斯株式会社,未经奥林巴斯株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880093596.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的