[发明专利]用于制备可转移的薄层的方法在审
| 申请号： | 201880085526.0 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN112219262A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | P·罗卡伊卡巴罗卡斯;陈王华;罗曼·卡里乌 | 申请（专利权）人： | 国家科学研究中心;法国光伏研究所;综合工科学校;道达尔公司;法国电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 李雪;陈万青 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制备包括至少一个全单晶半导体层的半导体材料的方法，该方法包括以下步骤：(i)预处理第一衬底的表面以容纳单晶硅层；(ii)在步骤(i)中获得的单晶硅层上，使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，通过具有生长速率梯度的外延生长来沉积单晶硅层；以及(iii)在步骤(ii)中获得的单晶硅层上外延生长半导体材料的单晶层，由此获得包括至少一个全单晶半导体层的材料。本发明还涉及一种多层材料，该多层材料包括半导体材料的单晶层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 转移 薄层 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
