[发明专利]用于使用通孔阻滞层的薄膜电阻器的装置和方法有效
| 申请号： | 201880055813.7 | 申请日： | 2018-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN111033718B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | A·阿里;D·康德;Q·洪 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01C17/075 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一种制造集成电路(IC)芯片的方法中，该方法包括在第一层间电介质(ILD)层(114)上沉积第一薄膜电阻器材料；覆盖第一薄膜电阻器材料沉积蚀刻阻滞剂层(118)；以及图案化并蚀刻该蚀刻阻滞剂层(118)和第一薄膜电阻器材料，以形成第一电阻器(116)。该方法继续：覆盖第一电阻器(116)沉积第二ILD层(120)；以及使用第一蚀刻化学过程图案化和蚀刻第二ILD层(120)，以形成穿过第二ILD(120)层和蚀刻阻滞剂层(118)到第一电阻器(116)的通孔(122C，122D)。蚀刻阻滞剂层(118)对第一蚀刻化学过程具有选择性，并且蚀刻阻滞剂层(118)的厚度使得通孔蚀刻过程去除蚀刻阻滞剂层(118)的基本上所有暴露部分并且基本上防止下面第一薄膜电阻器材料的消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 使用 阻滞 薄膜 电阻器 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
