[发明专利]具有反向堆积混合式添加结构的穿模柱封装在审

专利信息
申请号: 201880054989.0 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN111052372A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: C·H·育;J·F·克丁;A·帕卡姆图;M·E·塔特尔 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/485;H01L23/48;H01L23/31
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文中揭示具有电耦合到重布结构的半导体裸片及位于所述重布结构上方的模制材料的半导体装置以及相关联系统及方法。在一个实施例中,一种半导体装置包含附接到无衬底重布结构的第一侧的半导体裸片及延伸穿过安置于所述重布结构的所述第一侧上的模制材料的多个导电柱。所述半导体装置还可包含位于所述模制材料上且电耦合到所述导电柱的第二重布结构。可使用单一载体且需要仅对半导体装置的单一侧的处理来制造所述半导体装置。
搜索关键词: 具有 反向 堆积 混合式 添加 结构 穿模柱 封装
【主权项】:
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