[发明专利]多孔低K介电蚀刻在审

申请号：	201880034128.6	申请日：	2018-05-14
公开（公告）号：	CN110663104A	公开（公告）日：	2020-01-07
发明（设计）人：	艾利克·哈德森;沙尚克·德希穆克;桑尼·李;王家俊;普拉帕格拉·卡帕拉达苏;欧阳子皓	申请（专利权）人：	朗姆研究公司
主分类号：	H01L21/3065	分类号：	H01L21/3065;H01L21/027;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/02
代理公司：	31263 上海胜康律师事务所	代理人：	李献忠;张静
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	提供了一种用于将特征蚀刻到多孔低k介电蚀刻层中的方法。在等离子体处理室中执行多个循环。每个循环包括沉积阶段和活化阶段。沉积阶段包括：使包含碳氟化合物和/或氢氟碳化合物气体的沉积气体流动；使用所述沉积气体在所述等离子体处理室中产生等离子体；沉积含碳氟化合物或氢氟碳化合物层；以及停止所述沉积气体流动。活化阶段包括：使包含稀有气体和碳蚀刻添加剂的活化气体流动；使用所述活化气体在所述等离子体处理室中产生等离子体；在所述等离子体处理室中提供活化偏置，其中所述活化偏置引起对所述低k介电层的蚀刻，其中消耗所述含碳氟化合物或氢氟碳化合物层；以及使所述活化气体的流动停止。
搜索关键词：	等离子体处理室活化氢氟碳化合物沉积气体活化气体等离子体含碳氟化合物沉积阶段流动偏置蚀刻蚀刻添加剂碳氟化合物低k介电层特征蚀刻稀有气体蚀刻层介电沉积消耗
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【主权项】：

1.一种用于将特征蚀刻到设置在图案化掩模下方的多孔低k介电蚀刻层中的方法，其包括在等离子体处理室中执行多个循环，其中每个循环包括：/n沉积阶段，其包括：/n使包含碳氟化合物和/或氢氟碳化合物气体的沉积气体流入所述等离子体处理室；/n使用所述沉积气体在所述等离子体处理室中产生等离子体；/n在所述低k介电蚀刻层上沉积含碳氟化合物或氢氟碳化合物层；以及/n停止所述沉积气体流入所述等离子体处理室；和/n活化阶段，其包括：/n使包含稀有气体和碳蚀刻添加剂的活化气体流入所述等离子体处理室；/n使用所述活化气体在所述等离子体处理室中产生等离子体；/n在所述等离子体处理室中提供活化偏置，其中所述活化偏置引起对所述低k介电层的蚀刻，其中消耗所述含碳氟化合物或氢氟碳化合物层；以及/n停止所述活化气体流入所述等离子体处理室。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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