[发明专利]用于蚀刻度量改进的表面改性控制在审
| 申请号： | 201880018082.9 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110431655A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 布赖恩·J·科帕;维斯瓦斯·普罗海特;渡边诚一;小松健治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘雯鑫;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了用于对形成在衬底上的层的等离子体辅助表面改性的处理进行监测和控制的方法。该方法包括：使表面改性气体流入等离子体处理系统的等离子体处理室中；在等离子体处理室中点燃等离子体以开始对形成在衬底上的层的表面改性处理；以及在对该层的表面改性处理期间，从附接至等离子体处理室的光学发射光谱学系统获取光学发射光谱。对于一个实施方式，该方法包括基于所获取的光学发射光谱来改变表面改性处理的至少一个参数。对于一个实施方式，所获取的光学发射光谱可以包括光谱线的强度、光谱线的斜率或以上两者以实现表面改性处理的终点控制。还公开了另外的方法和相关系统。 | ||
| 搜索关键词： | 表面改性处理 等离子体处理室 光学发射光谱 表面改性 光谱线 衬底 等离子体处理系统 等离子体 等离子体辅助 蚀刻 光谱学系统 监测和控制 光学发射 终点控制 度量 附接 点燃 改进 | ||
【主权项】：
1.一种用于对形成在衬底上的层的等离子体辅助表面改性的处理进行监测和控制的方法，所述方法包括：使表面改性气体流入等离子体处理系统的等离子体处理室中；在所述等离子体处理室中点燃等离子体以开始对形成在衬底上的层的表面改性处理；以及在对所述层的所述表面改性处理期间，从附接至所述等离子体处理室的光学发射光谱学系统获取光学发射光谱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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