[实用新型]一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构有效

专利信息
申请号: 201822082080.6 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN209017001U 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 谢波玮;丁发柱;古宏伟;商红静;董泽斌;黄大兴;许文娟;苏广辉 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所;郑州科之诚机床工具有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H01L41/02;H01L41/08
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 程华
地址: 100000 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构,该芯片结构包括:声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体,芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽,第一凹槽内填充有第一压电材料,第一压电材料上设置有第一电极,第一电极的一端和第一压电材料相连,另一端和芯片电路的信号输入端相连;第二凹槽内填充有第二压电材料,第二压电材料上设置有第二电极,第二电极的一端和第二压电材料相连,另一端和芯片电路的信号输出端相连。本实用新型提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构,降低了器件的传输损耗及微波插入损耗,提高了器件的频率及品质因数等性能。
搜索关键词: 压电材料 声波 声表面波 微波器件 芯片结构 激励体 横波 芯片电路 本实用新型 第二电极 第一电极 芯片基体 填充 信号输出端 信号输入端 插入损耗 传输损耗 品质因数 微波
【主权项】:
1.一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构,其特征在于,所述芯片结构包括:声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体;所述芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽内填充有第一压电材料,所述第一压电材料上设置有第一电极,所述第一电极的一端和所述第一压电材料相连,所述第一电极的另一端和所述芯片电路的信号输入端相连;所述第二凹槽内填充有第二压电材料,所述第二压电材料上设置有第二电极,所述第二电极的一端和所述第二压电材料相连,所述第二电极的另一端和所述芯片电路的信号输出端相连。
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