[实用新型]氧化设备中挡片自动清洁系统有效
| 申请号： | 201822081237.3 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN209000886U | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陆振杰;祁鹏;郎玉红 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种氧化设备中挡片自动清洁系统，包括：副炉体，用于放置挡片并进行掺氯氧化工艺，所述副炉体包括炉管口、进气口、出气口；硅片传送单元，其通过副炉体的炉管口将挡片送至副炉体中或从副炉体中取出；气体分配单元，用于向副炉体中提供掺氯氧化工艺所需的气体，所述气体分配单元与副炉体的进气口相连接；尾气处理单元，其与副炉体的出气口相连接；机台控制单元，其与副炉体、硅片传送单元、气体分配单元和尾气处理单元相连。本实用新型在现有的氧化工艺设备中增加独立的副炉体对挡片进行掺氯氧化处理，不但可以降低挡片中的金属离子含量，而且可以保证正常的氧化工艺不受影响，不会占用氧化炉体的工艺时间和降低机台的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 副炉体 挡片 氧化工艺 气体分配单元 进气口 尾气处理单元 自动清洁系统 本实用新型 硅片传送 氧化设备 出气口 炉管口 机台控制单元 机台 金属离子 生产效率 氧化处理 氧化炉体 取出 占用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种氧化设备中挡片自动清洁系统，其特征在于，包括：副炉体，用于放置挡片并进行掺氯氧化工艺，所述副炉体包括炉管口、进气口、出气口；硅片传送单元，其通过副炉体的炉管口将挡片送至副炉体中或从副炉体中取出；气体分配单元，用于向副炉体中提供掺氯氧化工艺所需的气体，所述气体分配单元与副炉体的进气口相连接；尾气处理单元，其与副炉体的出气口相连接；机台控制单元，其与副炉体、硅片传送单元、气体分配单元和尾气处理单元相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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