[实用新型]一种高效晶硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201822014493.0 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN209183557U | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 曹振;刘林华;宁纪林;武婷婷;刘珊珊;任现坤;姜言森 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0248;H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 37249 | 代理人： | 侯绪军 |
| 地址： | 250000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高效晶硅太阳能电池，包括硅衬底，硅衬底前表面由内到外依次设置有发射区、前表面二氧化硅层和氮化硅减反射膜，设置于硅衬底正表面表层的正面银电极依次穿过氮化硅减反射膜、前表面二氧化硅层与发射区接触，硅衬底背表面由内到外依次设置有二氧化硅钝化层和铝背场，设置于硅衬底背表面表层的背面银电极依次穿过铝背场、二氧化硅钝化层和硅衬底接触；所述的前表面二氧化硅层和二氧化硅钝化层同时通过浓硝酸氧化而成，该结构减少了目前传统晶硅太阳能电池的表面的载流子复合，提高开路电压，进而提高电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 硅衬底 前表面 二氧化硅钝化层 晶硅太阳能电池 二氧化硅层 氮化硅减反射膜 依次设置 背表面 发射区 铝背场 穿过 背面银电极 本实用新型 载流子复合 正面银电极 电池效率 开路电压 浓硝酸 正表面 | ||
【主权项】：
1.一种高效晶硅太阳能电池，其特征在于，包括硅衬底（5），硅衬底（5）前表面由内到外依次设置有发射区（4）、前表面二氧化硅层（3）和氮化硅减反射膜（2），设置于硅衬底（5）正表面表层的正面银电极（1）依次穿过氮化硅减反射膜（2）、前表面二氧化硅层（3）与发射区（4）接触，硅衬底（5）背表面由内到外依次设置有二氧化硅钝化层（6）和铝背场（7），设置于硅衬底（5）背表面表层的背面银电极（8）依次穿过铝背场（7）、二氧化硅钝化层（6）和硅衬底（5）接触；所述的前表面二氧化硅层（3）和二氧化硅钝化层（6）同时通过浓硝酸氧化而成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
