[实用新型]晶体生长炉气氛循环过滤系统有效
申请号: | 201821941919.0 | 申请日: | 2018-11-23 |
公开(公告)号: | CN209397295U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 刘刚 | 申请(专利权)人: | 成都晶九科技有限公司 |
主分类号: | C30B35/00 | 分类号: | C30B35/00;B01D50/00 |
代理公司: | 成都厚为专利代理事务所(普通合伙) 51255 | 代理人: | 夏柯双 |
地址: | 611731 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶体生长炉气氛循环过滤系统,包括炉体、过滤器、流量计和气泵,所述炉体上设有位于炉体顶部的排气口和位于炉体底部的进气口,所述炉体的排气口处设有第一气阀,所述炉体的进气口处设有第二气阀,所述第一气阀的排气口经气管与过滤器的进气口连通,所述过滤器的排气口经气管与流量计的进气口连通,所述流量计的排气口经气管与气泵的进气口连通,所述气泵的排气口经气管与第二气阀的进气口连通。本实用新型中利用过滤器将晶体生长过程中产生的挥发物质滤掉,让晶体生长始终在洁净的气氛下进行,减少了挥发物质对坩埚内熔体的污染,提高了晶体质量。 | ||
搜索关键词: | 进气口 排气口 过滤器 气阀 流量计 炉体 气管 连通 本实用新型 晶体生长炉 过滤系统 气氛循环 位于炉体 气泵 挥发物 晶体生长过程 挥发物质 晶体生长 排气口处 内熔体 坩埚 洁净 污染 | ||
【主权项】:
1.晶体生长炉气氛循环过滤系统,其特征在于,包括炉体(1)、过滤器(4)、流量计(5)和气泵(6),所述炉体(1)上设有位于炉体(1)顶部的排气口和位于炉体(1)底部的进气口,所述炉体(1)的排气口处设有第一气阀(2),所述炉体(1)的进气口处设有第二气阀(3),所述第一气阀(2)的排气口经气管与过滤器(4)的进气口连通,所述过滤器(4)的排气口经气管与流量计(5)的进气口连通,所述流量计(5)的排气口经气管与气泵(6)的进气口连通,所述气泵(6)的排气口经气管与第二气阀(3)的进气口连通。
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