[实用新型]基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器

摘要

基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，结构从上到下依次为氮化硼层、金属电极、二硒化钨层和柔性基底；二硒化钨层两端与金属电极相连；二硒化钨层的上表面被氮化硼层完全覆盖；所述二硒化钨层为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子，少数几层为1‑10层；本实用新型采用二硒化钨作为核心敏感材料，利用二硒化钨对应力敏感的特性(压阻特性)进行应力检测，氮化硼作为保护层，使应力传感器的抗弯折能力强、具有较大的量程、灵敏度高、体积小、易加工、长期稳定性好等特点。

主权项

1.基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，其特征在于，结构从上到下依次为氮化硼层(1‑1)、金属电极(1‑2)、二硒化钨层(1‑3)和柔性基底(1‑4)；二硒化钨层(1‑3)两端与金属电极(1‑2)相连；二硒化钨层(1‑3)的上表面被氮化硼层(1‑1)完全覆盖；所述二硒化钨层(1‑3)为二维材料，即厚度方向仅有单层原子或少数几层原子。