[实用新型]多晶硅还原炉有效

专利信息
申请号: 201821832417.4 申请日: 2018-11-06
公开(公告)号: CN209081438U 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 彭建涛;茅陆荣;许晟 申请(专利权)人: 上海森松新能源设备有限公司
主分类号: C01B33/027 分类号: C01B33/027
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 201323 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开了一种多晶硅还原炉,包括底部具有进气口的还原炉本体,还包括导气件,导气件设置在还原炉本体内部,导气件包括中心进气管和出气管,中心进气管穿过还原炉本体连接进气管道,出气管与中心进气管连通,且出气管距离还原炉本体的上封头的距离小于或等于出气管距离还原炉本体底部的距离。上述的多晶硅还原炉实现了还原炉上部和下部同时进气,能够保证还原炉内部气体分布均匀,有助于提高多晶硅还原炉的生产质量。
搜索关键词: 还原炉 多晶硅还原炉 出气管 中心进气管 导气件 进气口 本实用新型 进气管道 内部气体 上封头 进气 连通 穿过 保证 生产
【主权项】:
1.一种多晶硅还原炉,包括底部具有进气口的还原炉本体,其特征在于,还包括导气件,所述导气件设置在所述还原炉本体内部,所述导气件包括中心进气管和出气管,所述中心进气管穿过所述还原炉本体连接进气管道,所述出气管与所述中心进气管连通,且所述出气管距离所述还原炉本体的上封头的距离小于或等于所述出气管距离所述还原炉本体底部的距离。
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