[实用新型]一种用于制备单晶碳化硅的装置有效
| 申请号： | 201821803127.7 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN209481852U | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李霞;高超;梁晓亮;宁秀秀;李宏刚;宗艳民 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 济南千慧专利事务所(普通合伙企业) 37232 | 代理人： | 吴绍群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种用于制备单晶碳化硅的装置，所述装置包括：至少第一坩埚和第二坩埚、至少两个加热元件以及保温结构；其中，所述至少第一坩埚和第二坩埚相互连通；每个坩埚对应至少一个加热元件；每个坩埚的加热是独立控制的。采用本实用新型的双坩埚进行单晶碳化硅的生产，在晶体生长阶段中后期，可为长晶用的坩埚提供硅气氛补充，可减少甚至消除晶体碳包裹体的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 坩埚 单晶碳化硅 本实用新型 加热元件 制备 晶体生长阶段 保温结构 独立控制 包裹体 晶体碳 双坩埚 加热 连通 补充 生产 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备单晶碳化硅的装置，其特征在于，所述装置包括：至少第一坩埚和第二坩埚、至少两个加热元件以及保温结构；其中，所述至少第一坩埚和第二坩埚相互连通；每个坩埚对应至少一个加热元件；每个坩埚的加热是独立控制的。
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