[实用新型]硅穿孔互连结构有效
| 申请号： | 201821762014.7 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN209071319U | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种硅穿孔互连结构，可以包括多层基体和连接导线；多层基体的各层基体上均设置有多个硅穿孔，且各层基体依次错位堆叠设置使硅穿孔部分连通；连接导线设于硅穿孔内，以连通多层基体上的对应电路。本实用新型利用基体的错位设置，使得各层基体上的硅穿孔错位连接来达到硅穿孔(TSV)跳线的需求，可以不使用RDL制成；该硅穿孔互连结构良率较好，可以降低生产耗时和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 硅穿孔 互连结构 多层 本实用新型 连接导线 连通 半导体技术领域 错位堆叠 错位连接 错位设置 降低生产 良率 跳线 生产成本 耗时 电路 | ||
【主权项】：
1.一种硅穿孔互连结构，其特征在于，包括：多层基体，各层所述基体上均设置有多个硅穿孔，且各层所述基体依次错位堆叠设置使所述硅穿孔部分连通；连接导线，设于所述硅穿孔内，以连通多层所述基体上的对应电路。
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