[实用新型]一种系统级封装模组结构的快速测试装置有效
申请号: | 201821639278.3 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN209167480U | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 郑赞赞;冯光建;马飞;陈雪平;刘长春;丁祥祥;王永河;郁发新 | 申请(专利权)人: | 浙江集迈科微电子有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R31/00 |
代理公司: | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人: | 董世博 |
地址: | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种系统级封装模组结构的快速测试装置,包括载板和测试板,测试板上表面设置TSV孔,TSV孔直径范围在1um到1000um,深度在10um到1000um,在测试板上表面设置第一绝缘层,第一绝缘层厚度范围在10nm到100um之间,第一绝缘层上方制作种子层,种子层厚度范围在1nm到100um,种子层结构采用一层或多层,种子层的金属材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种;TSV孔内设置铜柱;测试板上表面还设置RDL,RDL设置在第二绝缘层上,第二绝缘层设置在种子层上,第二绝缘层厚度范围在10nm到1000um,其材质采用氧化硅或者氮化硅;本实用新型提供单位面积内大密度集成模组的一种系统级封装模组结构的快速测试装置。 | ||
搜索关键词: | 绝缘层 测试板 种子层 快速测试装置 系统级封装 模组结构 上表面 本实用新型 种子层结构 集成模组 金属材质 氮化硅 氧化硅 多层 铜柱 载板 制作 | ||
【主权项】:
1.一种系统级封装模组结构的快速测试装置,其特征在于,包括载板和测试板,测试板上表面设置TSV孔,TSV孔直径范围在1um到1000um,深度在10um到1000um,在测试板上表面设置第一绝缘层,第一绝缘层厚度范围在10nm到100um之间,第一绝缘层上方制作种子层,种子层厚度范围在1nm到100um,种子层结构采用一层或多层,种子层的金属材质采用钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的一种或多种;TSV孔内设置铜柱;测试板上表面还设置RDL,RDL设置在第二绝缘层上,第二绝缘层设置在种子层上,第二绝缘层厚度范围在10nm到1000um,其材质采用氧化硅或者氮化硅,其中RDL包括走线和键合功能的焊盘;焊盘高度范围在10nm到1000um,焊盘的金属采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种,其本身结构采用一层或多层;测试板的下表面设置第三绝缘层,并设置与铜柱对应的连接口,待测射频封装模组以一定距离固定在载板上,在测试板下表面设置各向异性导电胶,测试板下表面和载板键合。
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