[实用新型]相位移光罩有效
| 申请号： | 201821464430.9 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN208588895U | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/72 | 分类号： | G03F1/72;G03F1/26 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;李够生 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种相位移光罩，包括：透光基板；相位移垫层图案和相位移线路图案，设置在透光基板上，相位移垫层图案的长宽或直径大于等于200nm，相位移线路图案的线宽小于等于40nm，相位移垫层图案具有缺陷区域，缺陷区域为相位移光罩曝光时导致晶圆的表面出现破口的区域，缺陷区域相对于相位移垫层图案更分离于相位移线路图案；不透光层，设置在相位移垫层图案中，不透光层的第二边界位于缺陷区域的第一边界和相位移垫层图案的邻近边界之间，用于覆盖缺陷区域。本实用新型实施例通过在缺陷区域上覆盖不透光层，实现在通过相位移光罩对晶圆曝光时，在不透光层的作用下，与缺陷区域对应的晶圆表面位置处不再出现破口。 | ||
| 搜索关键词： | 相位移 缺陷区域 垫层 不透光层 图案 光罩 线路图案 本实用新型 透光基板 晶圆 破口 晶圆表面 曝光 位置处 覆盖 线宽 邻近 | ||
【主权项】：
1.一种相位移光罩，其特征在于，包括：透光基板；相位移垫层图案和相位移线路图案，设置在所述透光基板上，所述相位移垫层图案的长宽或直径大于等于200nm，所述相位移线路图案的线宽小于等于40nm，所述相位移垫层图案具有缺陷区域，所述缺陷区域为所述相位移光罩曝光时导致晶圆的表面出现破口的区域，所述缺陷区域相对于所述相位移垫层图案更分离于所述相位移线路图案；以及不透光层，设置在所述相位移垫层图案中，所述不透光层的第二边界位于所述缺陷区域的第一边界和所述相位移垫层图案的邻近边界之间，用于覆盖所述缺陷区域。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
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