[发明专利]光掩膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202011287139.0 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112394610A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张翩;方红 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F1/40 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光掩膜，包括：透光层以及不透光层，不透光层设置于透光层上，且不透光层包括多个不透光区块，多个不透光区块各具有与相邻的不透光区块相近的角隅部，且不透光层还包括片状接触结构，片状接触结构连接两个相邻的不透光区块的角隅部，本发明提供的光掩膜，通过在光掩膜的不透光层中的相邻的不透光区块之间设置片状接触结构，而使相邻的不透光区块不会通过尖角构成连接，有效地避免了相邻的不透光区块因连续放电而发生收缩和爆炸，进而提高了光掩膜的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011287139.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 光刻胶斜齿图形的制作方法及斜齿光栅的制作方法-202310944417.2
- 王辉 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2023-07-28 - 2023-10-27 - G03F1/38
- 本发明提供了一种光刻胶斜齿图形的制作方法及斜齿光栅的制作方法，应用于半导体技术领域。由于在本发明提供的光刻胶斜齿图形的制作方法中，其是根据光刻胶的材料在其特定区域上放置作为反射层的反射结构块，然后，基于该反射结构块可以反射光学的特性和灰度光罩的局部透明区的透光率或曝光光强分布沿某一方向呈渐变趋势，提出利用光刻胶和灰度光罩相结合的方式，先在光刻胶层上形成具有一定倾斜角的斜齿图形后，再基于该光刻胶的斜齿图形形成斜齿光栅，从而在现有半导体工艺的基础上，实现了斜齿图形或斜齿光栅的制作操作简单、成本低以及耗时短，且适合于大规模生产的目的。
- 掩膜版图的形成方法、存储介质及终端-202310874635.3
- 丁帼君;李新宇;赵亚楠;姜清华 - 常州承芯半导体有限公司
- 2023-07-14 - 2023-10-10 - G03F1/38
- 一种掩膜版图的形成方法、存储介质及终端，其中形成方法包括：建立直径尺寸为的晶圆图形；调入基础曝光区域图形；获取基础曝光区域图形的宽度尺寸和长度尺寸；根据晶圆图形的直径尺寸、基础曝光区域图形的宽度尺寸和长度尺寸，获取掩膜版图沿第一方向和第二方向所需的基础曝光区域图形的第一数量和第二数量；将基础曝光区域图形沿第一方向进行第一数量、以及沿第二方向进行第二数量的阵列处理，形成掩膜版图。通过自动化的建立晶圆圆形、以及自动化的计算出第一数量和第二数量，能够有效解决手动绘制圆形过程中所带来的繁琐性问题，而且还能够有效避免人为计算出现的错误，有效提高掩膜版图的设计效率和准确性。
- 掩膜版及晶圆的曝光方法-202310872604.4
- 姜清华;高谷信一郎;李新宇;丁帼君 - 常州承芯半导体有限公司
- 2023-07-14 - 2023-10-10 - G03F1/38
- 一种掩膜版及晶圆的曝光方法，其中曝光方法包括：提供晶圆，所述晶圆对应有若干曝光区域；提供原始掩膜版，所述原始掩膜版包括公共区、增补区和监控区，所述监控区的掩膜图形用于在所述晶圆中形成工艺控制监控的结构；对各个所述曝光区域进行逐次曝光处理，且在曝光处理过程中，部分所述曝光区域基于所述监控区进行曝光处理。在曝光过程中，通过在部分所述曝光区域基于所述监控区进行曝光处理，以减少在所述晶圆中形成工艺控制监控的结构的数量，进而减少占用形成实际出货芯片的区域，以增加所述晶圆的芯片产出数量。
- 一种掩模版组及应用该掩模版组的曝光设备-202310610593.2
- 请求不公布姓名 - 深圳智达星空科技（集团）有限公司;智慧星空（上海）工程技术有限公司
- 2023-05-29 - 2023-09-29 - G03F1/38
- 本申请提供一种掩模版组及应用该掩模版组的曝光设备，应用于半导体和泛半导体制备技术领域，该掩模版组通过在工作掩模版和工作光源之间设置防护掩模版，并在工作掩模版和/或防护掩模版上设置透明加热系统，可显著减少到达工作掩模版的无效光刻能量，防止掩模版热膨胀造成的光刻图案畸变；并可尽快达到掩模版的热平衡，保持掩模版温度稳定，提升工艺稳定性，减少准备时间，提高生产效率、降低次品率，具有极高的市场应用前景。
- 光罩组件及半导体结构的制备方法-202310506657.4
- 曹新满;吴耆贤;黄炜 - 长鑫存储技术有限公司
- 2023-05-08 - 2023-09-26 - G03F1/38
- 本发明涉及一种光罩组件以及半导体结构的制备方法，光罩组件包括第一光罩和第二光罩。第一光罩具有多个第一图形，多个第一图形呈多行多列间隔排布。各行第一图形均包括多个沿第一方向间隔排布的第一图形。相邻两行第一图形错位排布。第二光罩具有多个第二图形，多个第二图形呈多行多列间隔排布。各行第二图形均包括多个沿第一方向间隔排布的第二图形。相邻两行第二图形错位排布。第二光罩与第一光罩叠置时，多行第二图形与多行第一图形沿第二方向交替间隔排布，并且各行第二图形在第一光罩表面的正投影与相邻两行第一图形沿第二方向的间距不等。本发明可以实现图形制程进一步微缩。
- 一种金属掩模板的制备方法-202310581637.3
- 史小龙 - 寰采星科技（宁波）有限公司
- 2023-05-19 - 2023-09-12 - G03F1/38
- 本发明公开了一种金属掩模板的制备方法，涉及掩模板制备领域，包括如下步骤：选取金属箔材→施加光刻胶→曝光→显影→湿式蚀刻→去光刻胶→获得具有所需图案的金属箔材，其中，曝光时使用的光罩包括有效区和设置在有效区外侧的过渡区，过渡区的内边缘宽幅大于外边缘宽幅。本发明使用过渡区内边缘宽幅大于外边缘宽幅的光罩对带有光刻胶的金属箔材进行曝光，在金属箔材上也形成内边缘宽幅大于外边缘宽幅的过渡区，使得过渡区靠近有效区一侧的内边缘先被蚀刻，避免内边缘划伤有效区，提高金属掩模板的良品率。
- 光掩膜版及其制作方法-202010412215.X
- 孔志能;张秀璇 - 长鑫存储技术有限公司
- 2020-05-15 - 2023-09-12 - G03F1/38
- 本发明实施例提供一种光掩膜版及其制作方法，光掩膜版包括：基底和位于所述基底上的遮光层，所述遮光层内具有暴露所述基底表面的开口；阻挡层，所述阻挡层覆盖所述开口的侧壁，且所述阻挡层底部与所述基底相接触。本发明有利于保证光掩膜版在使用过程中具有良好的性能。
- 一种预防静电损伤的光罩及预防光罩静电损伤的方法-201911329388.9
- 熊易斯 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 2019-12-20 - 2023-09-08 - G03F1/38
- 本发明涉及半导体的光刻工艺技术领域，尤其涉及一种预防静电损伤的光罩，光罩包括多个图形模块，用于对晶圆执行一光刻工艺，光罩还包括：至少利用一根导线将两个不同静电电位的图形模块连接，以使两个图形模块之间形成等电位。本发明技术方案的有益效果在于：本发明提供一种预防静电损伤的光罩，在光罩的多个图形模块之间设置一根导线，使得多个图形模块之间形成等电位，避免静电电荷的转移，可从源头上防止静电产生，既可以节省生产成本，也可以有效地防止静电损伤。
- 一种金属掩模板制备用光罩-202321237939.0
- 史小龙 - 寰采星科技（宁波）有限公司
- 2023-05-19 - 2023-08-29 - G03F1/38
- 本实用新型公开了一种金属掩模板制备用光罩，涉及掩模板制备领域，包括本体，所述本体上包括有效区和设置在所述有效区外侧的过渡区；所述过渡区的内侧形成有连接所述有效区和所述过渡区的内蚀刻线，所述过渡区的外侧形成有外蚀刻线；其中，所述内蚀刻线的宽度大于所述外蚀刻线的宽度。本实用新型中的光罩生成在金属箔材上的内蚀刻线的宽度大于外蚀刻线的宽度，金属箔材上靠近有效区的内蚀刻线会先被蚀刻，使金属箔材有效区不易被过渡区划伤。
- 光掩模的制造方法及用于制造光掩模的布局图案-202310762744.6
- 谢安政 - 福建省晋华集成电路有限公司
- 2023-06-26 - 2023-08-25 - G03F1/38
- 本发明公开了一种光掩模的制造方法，包括提供一目标图案，根据所述目标图案以及第一偏差值产生第一偏置图案，然后根据所述第一偏置图案以及第二偏差值产生第二偏置图案，接着以所述第一偏置图案和所述第二偏置图案做布林运算，获得第一辅助特征，再输出所述目标图案和所述第一辅助特征输出以制造所述光掩模。由此形成的光掩模，具有缩短的制造时间，且具有改善的保真性，帮助如实地将目标图案转移至半导体衬底上。
- 晶圆正面光罩及背面掩膜板布局校验方法及系统-202310761553.8
- 刘坤明;叶益修;侯汉成;宋嘉铭;茆同海 - 华通芯电（南昌）电子科技有限公司
- 2023-06-27 - 2023-08-22 - G03F1/38
- 本发明提供了一种晶圆正面光罩及背面掩膜板布局校验方法及系统，属于晶圆光刻制程领域；根据晶圆所需布设芯片区域绘制晶圆的正面光罩布局及背面掩膜板布局；基于正面光罩布局中的光刻图形采用步进曝光方式逐序针对晶圆正面进行重复光刻，以使晶圆被网格化划分为尺寸大小相同的若干子区域；基于背面掩膜板布局采用整面覆盖方式针对晶圆背面进行光刻；根据晶圆后续下线工序的制程设备在光刻后的晶圆背面定义对准区域；基于网格化的晶圆正面的光刻布局与背面掩膜板布局，背面曝光判断对准区域内是否晶圆正面存在至少两个PCM区；根据判断情况进行相应调整。通过本申请可针对晶圆正面光罩及背面掩膜板的设计布局一并校验。
- 光罩组件以及光刻方法-201911334500.8
- 王传龙;赵彬;王剑 - 上海华力微电子有限公司
- 2019-12-23 - 2023-08-18 - G03F1/38
- 本发明提供了一种光罩组件和光刻方法，包括：至少一个目标图案，所述目标图案限定出所述光罩组件的目标透光区域，所述目标图案的图形用于被复制至一光刻胶层中；与所述目标图案紧邻设置的至少一个辅助图案，所述辅助图案限定出所述光罩组件的辅助透光区域，所述辅助图案用于在曝光时光束通过所述辅助透光区域照射至对应于所述目标透光区域的光刻胶层中。利用本发明的光罩组件执行光刻方法时，可以在基底中精确形成高深宽比的通孔或岛状结构。
- 一种筛选光罩辅助图形的方法-202010213032.5
- 郭联峰;于世瑞 - 上海华力集成电路制造有限公司
- 2020-03-24 - 2023-08-15 - G03F1/38
- 本发明提供一种筛选光罩辅助图形的方法，提供基于光学原理的目标图形的关键尺寸随pitch变化的规律；提供多个不同的SRAF规则，并在目标图形之间插入符合每个SRAF规则的辅助图形，并根据插入辅助图形后的目标图形的关键尺寸随pitch变化的规律，找出对SRAF规则敏感的pitch点；按照SRAF规则，对目标图形进行曝光后的显影，并根据对SRAF规则敏感的pitch点筛选出符合工艺条件的最优SRAF规则。本发明基于Rule‑based插入方法设计的测试光罩，通过仿真快速确定对SRAF规则敏感的图形，曝光wafer后收取少量的wafer数据可快速确定SRAF规则，从而提高整个OPC recipe开发工作的速度和质量，并且可以大大加快项目的开发进度。
- BSE补偿装置及其使用方法-202310395164.8
- 蒋博翰;陆尉 - 上海华力集成电路制造有限公司
- 2023-04-13 - 2023-08-08 - G03F1/38
- 本发明提供一种BSE补偿装置，包括第一光刻补偿模块，其用于获取多个shot光刻以及刻蚀的第一误差以设置第一补偿值；第一关键尺寸检测模块，其用于获取显影后关键尺寸检测以及刻蚀后关键尺寸检测的第一数据，将第一数据反馈至第一光刻补偿模块；第二光刻补偿模块，其用于获取单个shot由固定补偿值修正后的光刻以及刻蚀的第二误差，根据第二误差设定第二补偿值；第二关键尺寸检测模块，其用于获取单个shot由固定补偿值修正后关键尺寸检测以及刻蚀后关键尺寸检测的第二数据，将第二数据反馈至第二光刻补偿模块。本发明能够达到动态补偿的效果；并且对每一片晶圆而言，补偿都更加合理，从而实现了工艺窗口最大程度的改善。
- 针对光刻中光罩热效应的修正方法-202310442773.4
- 陈超;顾珍;张磊;陈昊瑜 - 上海华力集成电路制造有限公司
- 2023-04-23 - 2023-08-04 - G03F1/38
- 本申请提供一种针对光刻中光罩热效应的修正方法，包括：步骤S1，通过测量掩膜版光罩在光刻测试作业中的温度变化和套准偏差，预先建立该掩膜版光罩的套准偏差修正模型；步骤S2，实时测量掩膜版光罩单个或多个位置的温度，代入步骤S1中建立的套准偏差修正模型，计算出套准偏差的补偿值；步骤S3，根据步骤S2中得到的套准偏差的补偿值，在量产连续作业的每次作业开始前进行套准偏差的补偿；步骤S4，重复实施步骤S2和步骤S3，直至量产连续作业的所有作业完成。根据本申请，可以在一次量产连续作业中为每一次的作业给出精准的套准偏差修正，增加了受光罩热效应影响的一次量产连续作业的作业次数，从而提高作业效率和质量。
- 一种提高掩模版图形关键尺寸均匀性的方法-202310475146.0
- 王雷 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2023-04-28 - 2023-08-01 - G03F1/38
- 本发明提供一种提高掩模版图形关键尺寸均匀性的方法，包括提供衬底基板，该衬底基板为热敏石英；在衬底基板上形成透明介质，该透明介质的折射率随温度变化；通过光刻工艺曝光形成芯片图形。本发明使用热敏石英作为掩模版衬底，衬底介质采用折射率随温度变化的透明介质，使得当掩模版温度发生变化，产生膨胀时，可以实现对膨胀后光路变化进行补偿，使其依然保持原始的路径，实现曝光光路保持不变，CD尺寸也不会发生变化。
- 一种掩模版及半导体结构-202310747629.1
- 徐丹;廖君玮;刘志拯 - 长鑫存储技术有限公司
- 2023-06-21 - 2023-07-28 - G03F1/38
- 本公开涉及半导体技术领域，本公开提供一种掩模版及半导体结构。该掩模版包括至少一个掩模版组，掩模版组包括：呈阵列排布的多个子掩模版；每一子掩模版用于通过光刻工艺形成对应的子曝光区域，每一子曝光区域与相邻的子曝光区域之间均具有第一缝合区域；掩模版组用于通过光刻工艺形成对应的曝光单元，曝光单元与相邻的曝光单元之间均具有第二缝合区域；其中，至少部分曝光单元内有切割道图案，且至少部分切割道图案未在第一缝合区域和第二缝合区域内。利用切割道图案进行切割后得到芯片，可以解决芯片内设置缝合区域和芯片之间设置切割道图案无法兼顾的问题，同时保留位于芯片内的缝合区域和芯片之间的切割道图案。
- 用于巨量转移的掩模版及其设计方法、巨量转移方法-202310748490.2
- 张星星;汪恒青;林潇雄;胡加辉;金从龙 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-06-25 - 2023-07-25 - G03F1/38
- 本发明公开了一种用于巨量转移的掩模版及其设计方法、巨量转移方法，该方法包括：获取所需转移的目标晶圆上多个显示单元的第一尺寸数据以及第一相对位置数据；根据第一尺寸数据与第一相对位置数据，计算用于转移显示单元的掩模版中透光区的第二尺寸数据与第二相对位置数据；根据第二尺寸数据以及第二相对位置数据，确定掩模版上多个透光区的长度、宽度、多个透光区在掩模版上的绝对位置，以及多个透光区在掩模版之上的相对位置。本发明旨在通过设计一种能够保证显示单元在目标基板上间距的掩模版，通过该掩模版对RGB显示单元进行巨量转移，有效保证RGB三原色显示单元在目标基板上的间距，从而保证显示单元在目标基板上的排版关系。
- 金属遮罩结构、制备遮蔽层的光罩、以及利用光罩制备金属遮罩结构的方法-202310357647.9
- 黄乔铃;林启维 - 达运精密工业股份有限公司
- 2023-04-06 - 2023-06-23 - G03F1/38
- 本发明提出一种金属遮罩结构、制备遮蔽层的光罩、以及利用光罩制备金属遮罩结构的方法。该金属遮罩结构包含板材，且板材至少包含：形成有至少一开槽的图形区；设置于图形区的一侧之非图形区；以及沿着延伸方向延伸而介于图形区与非图形区之间的切割槽。切割槽具有形成于板材之第一表面上的开口、及相对于第一表面凹入的槽内面。所述板材进一步包含沿着延伸方向延伸之至少一肋条结构形成于槽内面上，且该至少一肋条结构不突出开口。
- 掩膜板、拼接曝光方法及基板-201911366617.4
- 张振宇;顾维杰;马晓飞;陈亚坤 - 云谷（固安）科技有限公司
- 2019-12-26 - 2023-06-20 - G03F1/38
- 本发明涉及一种掩膜板、拼接曝光方法及基板，包括：第一掩膜板，具有第一遮光区，第一遮光区包括在第一方向上相互连接的第一非拼接段及第一拼接段；第二掩膜板，具有第二遮光区，第二遮光区包括在第一方向上相互连接的第二非拼接段及第二拼接段；第一非拼接段与第二非拼接段在第二方向上的线宽相等，第一非拼接段在待曝光膜层所在平面形成的在先投影和第二非拼接段在待曝光膜层所在平面形成的在后投影在第二方向上错位；第一拼接段与第二拼接段至少一者的线宽大于第一非拼接段的线宽；第一方向和第二方向彼此垂直且平行于掩膜板。使在光刻胶层上形成的虚拟图案在各处的线宽相等，保证了最终形成的金属图案的线宽相等。
- 一种半导体芯片的掩膜版结构及半导体器件-202310474003.8
- 陈维邦;郑志成 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
- 2023-04-28 - 2023-06-02 - G03F1/38
- 本发明提供一种半导体芯片的掩膜版结构及半导体器件，掩膜版结构包括：掩膜版主体，开设多个通孔，多个所述通孔呈矩形阵列布置；多个线边图形，设置于每个所述通孔的矩形边处；多个拐角图形，设置于每个所述通孔的矩形直角处；其中，每个所述通孔的外侧，所述线边图形和所述拐角图形形成第一包围结构，两个相邻所述通孔共用或不共用所述第一包围结构的一边。本发明在掩膜版上的集成电路图案通过曝光转移至晶圆的光刻胶层时，可提高对光学邻近效应的修正。
- 光掩膜版及其制作方法-202211712403.X
- 祁耀亮 - 睿晶半导体（宁波）有限公司
- 2022-12-29 - 2023-05-16 - G03F1/38
- 一种光掩膜版及其制作方法，所述光掩膜版，包括：透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；位于所述透明基板的第一表面上的若干分立的遮蔽图形；当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面还具有线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。本申请能将两遮蔽图形之间偏大的间距或偏小的间距得以修复。
- 一种防尘保护组件和光照保护装置-202223239173.8
- 汪水 - 惠州市沃瑞科技有限公司
- 2022-11-30 - 2023-05-12 - G03F1/38
- 本实用新型公开了一种防尘保护组件和光照保护装置，该防尘保护组件包括防尘薄膜和用于固定防尘薄膜的框架；防尘薄膜固定于框架的一端；防尘薄膜选自抗紫外线薄膜。以上防尘保护组件可应用于光刻掩膜板的防护，其可阻挡灰尘或异物落到掩膜板的表面，保持掩膜板的洁净；同时采用抗紫外线薄膜作为防尘薄膜，可保证UV或DUV波段下的透过率，进而可拓宽防尘保护组件的适用范围。
- 光掩模版标识及其制作方法-202211500061.5
- 祁耀亮 - 睿晶半导体（宁波）有限公司
- 2022-11-28 - 2023-05-09 - G03F1/38
- 一种光掩模版标识及其形成方法，其中所述光掩模版标识包括：透明基板，透明基板包括曝光区域和边缘区域；透明基板的边缘区域中具有多个标识槽，每一个所述标识槽均包括行列排布的多个主凹槽以及将相邻的主凹槽连接的副凹槽，所述副凹槽的宽度小于所述主凹槽的宽度，一个所述标识槽中的某些主凹槽和副凹槽中填充有不透光材料构成一个标识码，多个所述标识槽中对应的多个所述标识码构成一个标识。本申请的已有标识码后续可以移除部分不透光材料以改变为其他标识码，或者可以将不透光材料去除后重新在相应的主凹槽和副凹槽中填充不透光材料以变成其他的标识码，可以很简便的实现对标识的修改，以满足掩膜板制作过程中的管理需求。
- 用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法-202211675765.6
- 耿明春;诸嘉豪 - 无锡迪思微电子有限公司
- 2022-12-26 - 2023-05-02 - G03F1/38
- 本申请提供了一种用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法。该掩模版包括基板和遮光层，其中，遮光层位于基板的表面上，遮光层中设有多个开口图形，开口图形在基板上的正投影的形状边界具有多个凸起。该用于清洁刻蚀设备的掩模版上的开口图形在基板上的正投影的形状边界具有多个凸起，凸起可以增强静电吸附作用，从而在后续的等离子体清洁作业中能够容易将设备反应腔中的颗粒吸附在掩模版表面，然后通过等离子体清洁程序去除吸附在掩模版表面的颗粒，从而可以在不用开腔的情况下清洁刻蚀设备的反应腔，进而解决了现有技术中清洁刻蚀设备的反应腔耗时过长的问题。
- 掩膜版组件及曝光方法、显示面板、显示装置-202310033060.2
- 陈俊铭;蔡汉龙 - 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
- 2023-01-10 - 2023-04-28 - G03F1/38
- 本申请提供一种掩膜版组件及曝光方法、显示面板、显示装置。掩膜版组件，包括第一掩膜版以及第二掩膜版，所述第一掩膜版包括第一掩膜版本体以及位于所述第一掩膜版本体上的第一图案，所述第一图案呈网格状排布，所述第二掩膜版包括第二掩膜版本体以及位于所述第二掩膜版本体上的第二图案，所述第二图案与所述第一图案相同，所述第一掩膜版还包括设置在所述第一图案一侧边的多个第一拼接部，每个所述第一拼接部与侧边的每个网格最外部的相邻两边连接，所述第一拼接部的至少一部分位于与其连接的所述网格的外侧。本申请的掩膜版组件有利于提高发生错位拼接时网格搭接的成功率，进而利于提高产品良率。
- 掩模板版图的修正方法及系统和掩模板-202211656410.2
- 姚逸云;王栋;袁伟 - 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
- 2022-12-22 - 2023-03-31 - G03F1/38
- 本发明提供了一种掩模板版图的修正方法及系统和掩模板，方法包括以下步骤：S1，获取版图的技术节点信息及工艺层次信息以确定需要在邻侧添加辅助图形的目标主图形；S2，计算目标主图形到与其相邻的主图形的距离并记录为初始距离值；计算目标主图形的宽度值；S3，根据目标主图形的宽度值和初始距离值在目标主图形的邻侧生成初始辅助图形；S4，计算目标主图形到与其相邻的图形的距离并记录为修正距离值；判断修正距离值是否满足优化条件；S5，当修正距离值满足优化条件时，调整辅助图形的数量值和/或调整辅助图形的宽度值，重复执行S4直至修正距离值不再满足优化条件；S6，对辅助图形进行过曝检查。该方法用于增大掩模板的光刻工艺窗口。
- 一种新型掩膜-202210997784.4
- 蔡永安 - 隆基绿能科技股份有限公司
- 2022-08-19 - 2023-03-14 - G03F1/38
- 本发明提供了一种新型掩膜，包括：基层及功能层；基层与功能层叠层设置；功能层的材料包括温度上升后具有粘度的材料；基层靠近功能层的一侧为离型面；基层在紫外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系数≥20％，其中，紫外光光源的波长为355±15nm；或，基层在绿光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系数≥20％，其中，绿光光源的波长为530±15nm；或，基层在红外光光源照射下、且厚度在200um以下的吸收系数≥20％，其中，红外光光源的波长为1045±20nm；基层的可见光透过率≤90％。本发明提供的新型掩膜利用光学特性，通过低功耗的光源形成图案化内容，而且功能层的材料的成本低廉，也不需要匹配复杂的工艺实现图案化处理，实现降本增效。
- 金属掩膜版-202211488332.X
- 刘雷 - 京东方科技集团股份有限公司;绵阳京东方光电科技有限公司
- 2022-11-22 - 2023-03-03 - G03F1/38
- 本申请公开了一种金属掩膜版，包括：外框，外框设有支撑面；多根第一支撑金属条，第一支撑金属条沿第一方向设置在外框的支撑面上，多根第二支撑金属条，第二支撑金属条沿第二方向设置在第一支撑金属条上，第一方向与第二方向垂直，部分第二支撑金属条上设有贯穿的第一通孔，部分第二支撑金属条上设有第一凹槽。根据本申请实施例提供的技术方案，通过在支撑金属条上开孔，对清洗药液进行导流。减少药液残留在金属掩膜版上的面积，还通过在支撑金属条上进行局部刻蚀，形成对应的第一凹槽，使得相应支撑金属条与设置在其上方的结构之间的间距更大，具有更多的空间供药液挥发，使得清洗药液挥发更加彻底，不再出现清洗溶剂残留的情况。
- 用于生成掩模图案的方法-202210855723.4
- 艾曼·哈穆达;毛东 - ASML荷兰有限公司
- 2022-07-18 - 2023-02-03 - G03F1/38
- 本文描述了一种用于为光刻过程生成掩模图案的方法。这涉及通过应用第一平滑函数来生成分段掩模图案的平滑表示，并且通过多个分段特征中的一个或多个的变化集合调整分段掩模图案。进一步，通过使用经调整的分段掩模图案的平滑掩模图案，直到终止条件被满足为止，图案化过程模拟以迭代方式被执行。在每次迭代中，在调整分段掩模图案时，平滑掩模图案由过程模型生成和使用以模拟图案化过程。一旦所述终止条件被满足，作为结果的分段掩模图案被获得。然后，最终掩模图案通过将第二平滑函数应用于作为结果的分段掩模图案来生成。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
