[实用新型]一种高密度电流的平面MOS封装结构

摘要

本实用新型公开了一种高密度电流的平面MOS封装结构，包括第一MOS管本体和第二MOS管本体，所述第一MOS管本体的两侧均固定连接有竖板，所述第二MOS管本体的两侧均固定连接有安装板，所述竖板的一侧开设有固定槽，所述安装板一侧的顶部和底部均开设有安装槽，固定槽内壁一侧的顶部和底部均固定连接有导向杆，且导向杆的表面滑动连接有滑动杆，且滑动杆的底端与固定槽的内壁滑动连接，滑动杆的顶端依次贯穿固定槽和竖板并延伸至竖板的顶部，本实用新型涉及MOS技术领域。该高密度电流的平面MOS封装结构，可实现对需要串联使用的MOS管进行方便拆装，为后续的MOS管的正常使用奠定了基础，也给工作人员带来了诸多便利，节省了安装时间。

主权项

1.一种高密度电流的平面MOS封装结构，包括第一MOS管本体(1)和第二MOS管本体(2)，其特征在于：所述第一MOS管本体(1)的两侧均固定连接有竖板(3)，所述第二MOS管本体(2)的两侧均固定连接有安装板(4)，所述竖板(3)的一侧开设有固定槽(5)，所述安装板(4)一侧的顶部和底部均开设有安装槽(6)，所述固定槽(5)内壁一侧的顶部和底部均固定连接有导向杆(7)，且导向杆(7)的表面滑动连接有滑动杆(8)，且滑动杆(8)的底端与固定槽(5)的内壁滑动连接，所述滑动杆(8)的顶端依次贯穿固定槽(5)和竖板(3)并延伸至竖板(3)的顶部，所述滑动杆(8)表面一侧的顶部和底部均固定连接有横杆(9)，所述横杆(9)远离滑动杆(8)表面的一侧依次贯穿固定槽(5)和安装槽(6)并延伸至安装槽(6)的内部。