[实用新型]自建充电输入OVP过压保护电路有效
| 申请号： | 201820985338.0 | 申请日： | 2018-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN208571573U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 熊安华;陈德方 | 申请（专利权）人： | 上海银沪通信科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/20 | 分类号： | H02H3/20;H02J7/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200000 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了自建充电输入OVP过压保护电路，该电路的PMOSFET管的源极接充电电压输入接口、漏极接充电主板接口，PMOSFET管的栅极、源极之间接有电阻R2002、电容C2003，电阻R2002连接有电阻R2003；PNP三极管的基极接于电容C2001、双向瞬态电压抑制二极管，双向瞬态电压抑制二极管另一端接电阻R2001，PNP三极管的集电极接于电阻R2002、电阻R2003之间，PNP三极管的发射极接充电电压输入接口VCHG，PNP三极管的发射极连接有电容C2002。在VCHG输入电压大于7.5V时，可以利用PMOSFET管截止，VCHG_IN输入电压关闭，保护后端电路。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 电容 双向瞬态电压抑制二极管 过压保护电路 充电 充电电压 输入电压 输入接口 源极 本实用新型 发射极连接 后端电路 主板接口 发射极 集电极 漏极 电路 截止 | ||
【主权项】：
1.一种自建充电输入OVP过压保护电路，其特征在于，其包括：电容C2001、电阻R2001、双向瞬态电压抑制二极管T2001、PNP三极管Q2001、电阻R2003、电阻R2002、电容C2003、PMOSFET管Q2002、电容C2002；所述PMOSFET管Q2002的源极接充电电压输入接口VCHG、漏极接充电主板接口VCHG_IN，PMOSFET管Q2002的栅极、源极之间接有电阻R2002、电容C2003，所述电阻R2002连接有另一端接地的电阻R2003；所述PNP三极管Q2001的基极接于电容C2001、双向瞬态电压抑制二极管T2001，所述电容C2001另一端接地，所述双向瞬态电压抑制二极管T2001另一端接电阻R2001，所述电阻R2001另一端接地，所述PNP三极管Q2001的集电极接于电阻R2002、电阻R2003之间，所述PNP三极管Q2001的发射极接充电电压输入接口VCHG，所述PNP三极管Q2001的发射极连接有另一端接地的电容C2002。
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