[实用新型]一种分子束外延中带安全抽气装置的可快速换源的磷炉有效
| 申请号： | 201820504285.6 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN208336150U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋建 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州市高新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种分子束外延中带安全抽气装置的可快速换源的磷炉，磷炉主体通过一根金属管路与分子束外延生长室相连，用于把磷炉主体内的磷束源引入分子束外延生长室，金属管路中装有针阀用以调节磷束流的大小。磷炉主体上串接有第一真空角阀和第二真空角阀。当磷炉主体需要重新装载红磷束源材料时，同时打开第一真空角阀和第二真空角阀给磷炉放气，使磷炉暴露大气。装载束源材料之后，磷炉抽气完毕同时关闭两个角阀，确保阀门关闭后没有泄漏，同时保证磷炉长期使用不产生泄漏。 | ||
| 搜索关键词： | 磷炉 分子束外延 真空角阀 束源 安全抽气 金属管路 生长室 泄漏 本实用新型 阀门关闭 重新装载 抽气 串接 放气 红磷 角阀 束流 针阀 装载 暴露 引入 保证 | ||
【主权项】：
1.一种分子束外延中带安全抽气装置的可快速换源的磷炉，其特征在于：磷炉主体(1)通过一根金属管路(2)与分子束外延生长室相连，金属管路(2)用于把磷炉主体(1)内的磷束源引入分子束外延生长室，金属管路(2)中装有针阀(3)用以调节磷束流的大小；磷炉主体(1)上串接有第一真空角阀(4)和第二真空角阀(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新磊半导体科技（苏州）有限公司，未经新磊半导体科技（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201820504285.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多倍掩膜层
- 下一篇：利用反向间距加倍工艺形成表面平坦化结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
