[实用新型]一种具有抗打击电极的LED芯片有效
| 申请号： | 201820484402.7 | 申请日： | 2018-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN208127230U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 崔永进;黄跃 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有抗打击电极的LED芯片，包括发光结构、电极和位于电极表面的抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。本实用新型通过在电极上设置一层抗打击膜层，避免电极形变，并且防止电极中的Al在高温环境中反射迁移，从而提高LED芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 膜层 本实用新型 打击 电极表面 电极形变 发光结构 高温环境 反射 迁移 | ||
【主权项】：
1.一种具有抗打击电极的LED芯片，其特征在于，包括发光结构、电极和位于电极表面的抗打击膜层，所述抗打击膜层依次包括第二Ti层、Pt层、第三Cr层、第一Au层、第四Cr层和第二Au层。
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