[发明专利]一种竖立放置射频模块的相变散热结构的制作工艺有效

专利信息
申请号: 201811593367.3 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN110010546B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 冯光建 申请(专利权)人: 浙江集迈科微电子有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768;H01L23/04;H01L23/427;H01L23/467;H01L23/473;H01Q1/22
代理公司: 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 代理人: 董世博
地址: 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种竖立放置射频模块的相变散热结构的制作工艺,包括以下步骤:在射频芯片转接板上面制作凹槽和TSV,通过电镀工艺在凹槽和TSV内填充金属,在TSV开口一面制作焊盘;在射频芯片转接板上面制作空腔,去除空腔内TSV,在空腔内电镀金属层;把射频芯片焊接在空腔内;在射频芯片转接板上面制作RDL,使射频芯片PAD跟凹槽金属上端互联;减薄转接板背面使TSV露出,在背面制作金属块跟TSV底部互联;在顶部封盖下表面制作金属屏蔽层和焊盘;将顶部封盖跟射频芯片转接板做晶圆级键合;切割键合片得到单一射频芯片模组;在散热器底座上表面制作焊盘,在底座上挖腔,在腔的侧面和底部挖孔,分别连接液态喷雾管路和排气管路。
搜索关键词: 一种 竖立 放置 射频 模块 相变 散热 结构 制作 工艺
【主权项】:
1.一种竖立放置射频模块的相变散热结构的制作工艺,其特征在于,包括以下步骤:在射频芯片转接板上面制作凹槽和TSV,然后通过电镀工艺在凹槽和TSV内填充金属,然后在TSV开口一面制作焊盘;在射频芯片转接板上面制作空腔,去除空腔内TSV,在空腔内6电镀金属层;把射频芯片焊接在空腔内;在射频芯片转接板上面制作RDL,使射频芯片PAD跟凹槽金属上端互联;减薄转接板背面使TSV露出,在背面制作金属块跟TSV底部互联;在顶部封盖下表面制作金属屏蔽层和焊盘;减薄顶部封盖上表面,然后将顶部封盖跟射频芯片转接板做晶圆级键合;切割键合片得到单一射频芯片模组;在散热器底座上表面制作焊盘,在底座上挖腔,在腔的侧面和底部挖孔,分别连接液态喷雾管路和排气管路;把散热器底座和单一射频模组底部做键合,完成整个相变散热结构。
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