[发明专利]一种基于金属卤化物钙钛矿发光层的柔性红光电注入发光器件有效
| 申请号： | 201811551566.8 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109728202B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 边继明;王敏焕;刘洪珠;冯昱霖;董庆顺;史彦涛 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/00;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 大连星海专利事务所有限公司 21208 | 代理人： | 裴毓英 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种基于金属卤化物钙钛矿发光层的柔性红光电注入发光器件。本发明基于金属卤化物钙钛矿发光层的柔性红光电注入发光器件，包括依次设置的阳极层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和柔性衬底；所述阳极层采用Au，所述空穴传输层采用Spiro‑OMeTAD，所述钙钛矿发光层采用Cs |
||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 卤化物 钙钛矿 发光 柔性 光电 注入 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于金属卤化物钙钛矿发光层的柔性红光电注入发光器件，其特征在于，包括依次设置的阳极层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和柔性衬底；所述阳极层采用Au，所述空穴传输层采用Spiro‑OMeTAD，所述钙钛矿发光层采用Cs0.05FA0.8075MA0.1425Pb(I0.85Br0.15)3混合钙钛矿薄膜材料，所述电子传输层采用非晶非连续电子传输材料SnO2，所述柔性衬底采用ITO/PEN。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811551566.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于显示装置的垫片及显示装置
- 下一篇：量子点转印方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
