[发明专利]反压机及其控制方法在审
申请号: | 201811543321.0 | 申请日: | 2018-12-17 |
公开(公告)号: | CN111326431A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 何嘉 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18;H01L21/67;G01R31/382;G01R31/389;G01R31/396 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种反压机及其控制方法,其中,反压机作用于划刻后的薄膜电池,所述划刻后的薄膜电池上形成有多个电池单元;所述反压机包括:反压控制器和至少一个电能组件,所述电能组件包括输出模块和检测模块;所述反压控制器用于发送输出控制信号,向所述检测模块发送检测控制信号;所述输出模块用于输出测试电压;所述检测模块用于检测所述相邻的两个电池单元之间的电气参数;所述反压控制器还用于向输出模块发送熔断控制信号;所述输出模块还用于输出熔断电压。本发明提供的反压机及其控制方法,能够提升薄膜电池的良率。 | ||
搜索关键词: | 反压机 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京铂阳顶荣光伏科技有限公司,未经北京铂阳顶荣光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811543321.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造