[发明专利]一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法

摘要

本发明公开了一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法，该加工方法包括磨削、贴膜、去膜、化学腐蚀等步骤，首先对锗单晶片的背面顺磨磨削减薄，然后背面贴膜对正面进行逆磨磨削减薄，通过紫外灯照射去膜，最后对锗单晶片进行化学腐蚀处理，即得到弯曲度小的锗单晶磨削片。采用本发明提供的减小锗磨削片弯曲度的加工方法减少了崩边和裂纹的产生，降低了锗单晶片加工碎片率；UV膜能够对锗磨削片的背面及晶片边缘起到了保护作用；由于加工后的锗磨削片的弯曲度小，达到了背面磨削纹路密度大且稳定性好的标准要求，从而提高了锗磨削片的表面质量。

主权项

1.一种减小锗磨削片弯曲度的加工方法，其特征在于，依次进行背面顺磨磨削、贴膜、正面逆磨磨削、去膜、化学腐蚀加工工序，其具体步骤如下：步骤一、测试锗单晶片1原始厚度为W0，将锗单晶片1正面向下吸附于转台2上，磨削砂轮3轴向进给对锗单晶片背面进行顺磨磨削，减薄至厚度为W1；步骤二、在锗单晶片1背面贴合相同大小的UV膜；步骤三、将贴膜的锗单晶片1背面向下吸附于转台2上，磨削砂轮3轴向进给对锗单晶片正面进行逆磨磨削，减薄至目标厚度为W2；步骤四、采用紫外灯照射的方法去膜；步骤五、将锗单晶磨削片于酸腐蚀液中浸泡进行化学腐蚀，冲水甩干后即得到弯曲度小的锗单晶磨削片。