[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201811442129.2 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109860035A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 洪铭辉;郭瑞年;林延勳;林耕雍;杨博宇;万献文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法包含：在半导体基材上形成第一高介电常数介电层；在第一高介电常数介电层上形成第二高介电常数介电层，其中第二高介电常数介电层包含与第一高介电常数介电层的材料不同的材料；退火第一高介电常数介电层以及第二高介电常数介电层，使得第一高介电常数介电层与第二高介电常数介电层相互扩散；以及在第二高介电常数介电层上形成栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电常数介电层 半导体元件 退火 半导体基材 栅电极 制造 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包含：在一半导体基材上形成一第一高介电常数介电层；在该第一高介电常数介电层上形成一第二高介电常数介电层，其中该第二高介电常数介电层包含与该第一高介电常数介电层的一材料不同的另一材料；退火该第一高介电常数介电层以及该第二高介电常数介电层，使得该第一高介电常数介电层与该第二高介电常数介电层相互扩散；以及在该第二高介电常数介电层上形成一栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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