[发明专利]散裂中子源1MeV等效中子注量的测量方法有效
| 申请号： | 201811391030.4 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109541670B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 刘岩;陈伟;郭晓强;金晓明;李俊霖;杨善潮;王晨辉;白小燕 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | G01T1/29 | 分类号： | G01T1/29 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 汪海艳 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于辐射探测领域，涉及一种散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法。解决了现有散裂中子源中子束流无法直接提供1MeV等效中子注量且计算等效注量不确定度较大的技术问题，本发明采用的方法是利用双极型晶体管增益倒数和1MeV等效中子注量呈线性关系的特点，实现基于反应堆1MeV等效中子在横向结构晶体管上的损伤因子计算出散裂中子源1MeV等效中子注量，该方法在很宽的中子注量范围内可以保持较高的测量准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 中子注量 散裂中子源 测量 双极型晶体管 不确定度 辐射探测 横向结构 线性关系 因子计算 直接提供 晶体管 反应堆 束流 倒数 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种散裂中子源1MeV等效中子注量测量的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、筛选横向结构晶体管样本；扫描m个横向结构晶体管的集电极和基极电压，测量集电极和基极电流，并计算得到固定集电极电流IC下的横向结构晶体管增益，将增益差异性小于设定值的n个横向结构晶体管作为样本，其中m≥n；步骤2、获取1MeV等效中子注量下样本中横向结构晶体管造成的中子位移损伤常数K；步骤2.1、对步骤1样本中的部分横向结构晶体管不加偏置进行反应堆中子辐照，在不同中子注量点下测量集电极和基极电流，并计算得到在与步骤1具有相同固定集电极电流IC下对应的横向结构晶体管增益；步骤2.2、测量反应堆辐照1MeV等效中子注量；步骤2.3、根据步骤2.1获得的横向结构晶体管增益的倒数和步骤2.2获得的反应堆辐照1MeV等效中子注量，计算横向结构晶体管的中子位移损伤常数K；步骤3、获得散裂中子源1MeV等效中子注量；将步骤1样本中未经反应堆中子辐照的横向结构晶体管置于散裂中子源中子辐射环境进行辐照，测量其在与步骤1具有相同固定集电极电流IC下的横向结构晶体管增益，利用其增益倒数的变化量除以步骤2获得的中子位移损伤常数K得到散裂中子源在这段时间内累积的1MeV等效中子注量。
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