[发明专利]一种电力采集设备的NandFlash数据管理方法有效

专利信息
申请号: 201811382073.6 申请日: 2018-11-20
公开(公告)号: CN109558080B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 俞建伟;刘宁 申请(专利权)人: 宁波三星医疗电气股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 袁忠卫;孙盼峰
地址: 315191 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种电力采集设备的NandFlash数据管理方法,通过在电力采集设备内NandFlash物理区查找并选取具有最小字节的擦除单元块进行管理,选取具有最小字节的擦除单元作为最小擦除单元块,在将该最小擦除单元块分成N个最小单元后,获得第一个可写入单元,并将数据缓存区内的数据保存到该第一个可写入单元,一旦该第一个可写入单元的编号为N时,则擦除最小擦除单元块内的各最小写入单元内的数据,并从该最小擦除单元块内的第一个最小写入单元处重新开始写入缓存数据,达到对各最小写入单元的绕尾处理,从而腾出更多的存储空间,避免先前的数据占用最小擦除单元块的空间,由此不仅可以避免频繁地存储数据到NandFlash内,又可以提高NandFlash空间利用率。
搜索关键词: 一种 电力 采集 设备 nandflash 数据管理 方法
【主权项】:
1.一种电力采集设备的NandFlash数据管理方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,在电力采集设备的NandFlash物理区查找并选取具有最小字节的擦除单元块,标记该具有最小字节的擦除单元块作为最小擦除单元块;步骤2,将所述最小擦除单元块分为N个最小写入单元;其中,N≥1;步骤3,在NandFlash物理区内建立第一预设字节的数据缓存区;其中,所述数据缓存区由魔术字、写入次数、数据长度、有效数据区和ECC校验码组成;步骤4,所述电力采集设备在上电且程序初始化后,做挂载操作;其中,通过ECC纠错算法读取每个最小写入单元内的数据,且读取的任一数据为全0xFF时,则认为该任一数据所属的最小写入单元为第一个可写入单元;否则,将最小擦除单元块内的各最小写入单元内的数据擦除,并将编号最靠前的一个最小写入单元作为第一个可写入单元;步骤5,将需要做周期保存的数据复制到NandFlash物理区内的所述数据缓存区中的有效数据区;步骤6,计算写入到步骤5中所述有效数据区中的数据长度、统计数据缓存区被写入数据的总写入次数以及生成所述数据缓存区的前第二预设字节的ECC校验码;步骤7,按照预设写入时间间隔将数据缓存区内的数据写入到所述第一个可写入单元内;步骤8,当该第一个可写入单元的偏移为N时,则将最小擦除单元块内的各最小写入单元内的数据擦除,并从该最小擦除单元块内的第一个最小写入单元处重新开始写入缓存数据;否则,直接将缓存数据写入到该第一个可写入单元,同时计算下一个可写入单元的编号;步骤9,当需要获取最新的存储数据时,则将数据缓存区内的有效数据区中的数据读取出来;否则,转入步骤7。
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