[发明专利]一种双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法有效
| 申请号： | 201811320265.4 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109585861B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 黄妞;杨柳;闫术芳;丁玉岳 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/90 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，利用电沉积与空气气氛退火制备片状四氧化三钴阵列原位电极，再用电沉积或化学浴交替反应法在四氧化三钴表面生长聚苯胺后于保护气氛下退火反应，其中聚苯胺在保护气氛下形成氮掺杂的碳材料，同时使得四氧化三钴还原为一氧化钴。本发明的技术方案得到的产品，由于构筑了多种高电催化活位点，包括碳材料中氮掺杂活性位点以及由此引起的其它晶格缺陷和一氧化钴，具有优异的电催化氧还原反应（ORR）性能；一氧化钴具有较好的电催化氧析出反应（OER）性能；此外一氧化钴与碳材料与强界面耦合效应形成的界面亦具有优异的电催化析氧反应和氧还原反应性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功能 氧化钴 掺杂 原位 复合 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：（1）将硝酸钴溶于去离子水中，利用电沉积在导电基底上生长片状氢氧化钴阵列，再将氢氧化钴阵列于空气中退火形成多孔、片状四氧化三钴阵列；（2）将聚苯胺沉积到上述生长有四氧化三钴阵列的基底上后于Ar气或N2气中退火反应，即可制备得到双功能的一氧化钴与氮掺杂碳原位复合电极。
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