[发明专利]一种掺杂型高镍三元前驱体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811318297.0 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN109987647B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 王汝娜;颜自燃;哈立;杨新河;周恒辉 申请(专利权)人: 北京泰丰先行新能源科技有限公司;北大先行科技产业有限公司
主分类号: H01M4/505 分类号: H01M4/505;H01M4/525;C01G53/00;H01M10/0525
代理公司: 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 代理人: 邱晓锋
地址: 102200 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种掺杂型高镍三元前驱体及其制备方法。该掺杂型高镍三元前驱体的化学式为:NixCoyMnzMn(OH)2,其中x+y+z=1,0.8≤x<1,0<y<0.2,0<z<0.2,0<n<0.01;M选自Zr、Ce、V、Cr、Sr、Mo、Sc、La、P、Nb、Y、Ga中的至少一种。该掺杂型高镍三元前驱体的制备方法为:首先制备无掺杂的高镍三元前驱体,然后加入M,继续反应制备掺杂的高镍三元前驱体。本发明既保证了前驱体的综合指标又实现了元素的有效掺杂,采用该掺杂型高镍三元前驱体制备得到的掺杂型高镍三元正极材料,其循环性能有较大的提升。
搜索关键词: 一种 掺杂 型高镍 三元 前驱 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种掺杂型高镍三元前驱体,其特征在于,其化学式为:NixCoyMnzMn(OH)2,其中x+y+z=1,0.8≤x<1,0<y<0.2,0<z<0.2,0<n<0.01;M选自Zr、Ce、V、Cr、Sr、Mo、Sc、La、P、Nb、Y、Ga中的至少一种。
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