[发明专利]一种锡锑硫薄膜的化学浴制备方法

摘要

本发明涉及一种锡锑硫薄膜的化学浴制备方法，其包括如下步骤：(a)衬底清洗与预处理；(b)化学浴溶液(含有Sn2+、S2‑、Sb3+的混合溶液)配制；(c)采用化学浴法在水浴锅中沉积锡锑硫薄膜；(d)在氮气气氛或硫气氛下退火制备高质量锡锑硫薄膜。本发明所提供的低成本的化学浴法制备锡锑硫薄膜不需要昂贵的设备且原材料易得，操作简单，能够适合于任何形状和性质的衬底，控制好各工艺可以制备出具有优异光电性能的锡锑硫薄膜，为制备低成本且高效的太阳电池吸收层薄膜材料奠定基础。

主权项

1.一种锡锑硫薄膜的化学浴制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)衬底的清洗：依次采用肥皂水、丙酮、无水乙醇以及去离子水超声清洗衬底；(2)衬底的预处理：利用连续离子吸附工艺，在衬底上预先沉积一层厚度为5‑20nm的SnS薄膜；(3)化学浴溶液配制：首先配制硫源溶液，然后再配制金属源溶液，其中金属源包含锑源、锡源与络合剂；将硫源溶液与金属源溶液混合，充分溶解之后，利用盐酸或氨水调节pH值为4‑6，此时溶液颜色为浅白色，静置1‑5min，倒入沉积烧杯中；(4)化学浴沉积：将预处理后的衬底放入沉积烧杯中，然后将待沉积烧杯放入预先温度调节为50‑80℃的恒温水浴锅中进行沉积，10‑30h后取出；(5)薄膜的干燥：用去离子水冲洗沉积后的衬底，吹干；(6)薄膜的退火：将干燥过的锡锑硫薄膜放入真空管式退火炉，在惰性气氛或硫气氛下进行退火处理，退火温度为300‑450℃，退火时间为30‑120min。