[发明专利]一种制备粗晶铁锰硅基形状记忆合金的方法有效
| 申请号： | 201811193766.0 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109457091B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 彭华备;雍立秋;王勇宁;文玉华 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C21D6/00 | 分类号： | C21D6/00;C22C38/02;C22C38/06;C22C38/42;C22C38/44;C22C38/46;C22C38/48;C22C38/50;C22C38/52;C22C38/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610065 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备粗晶铁锰硅基形状记忆合金的方法，属形状记忆合金领域。本发明制备的铁锰硅基形状记忆合金的奥氏体晶粒平均尺寸≥1毫米。具体步骤如下：（1）先将铁锰硅基形状记忆合金在1260℃~1300℃处理5分钟至1小时；（2）然后循环以下处理过程不低于一次：以0.1℃每分钟~10℃每分钟的速度冷却至1100℃~1200℃并处理5分钟至30分钟；接着以0.1℃每分钟~10℃每分钟的速度加热至1260℃~1300℃并处理5分钟至1小时；（3）最后以0.1℃每分钟~5℃每分钟的速度冷却至1150℃~1200℃后水冷至室温。 | ||
| 搜索关键词： | 铁锰硅基形状记忆合金 制备 速度冷却 粗晶 形状记忆合金 奥氏体晶粒 水冷 加热 | ||
【主权项】：
1.一种制备粗晶铁锰硅基形状记忆合金的方法，其特征在于，所述铁锰硅基形状记忆合金含有Fe、Mn、Si和Cr元素，并包含Ni、Ti、Nb、Cu、Co、V、Mo、Al、C和N元素中的一种或多种，合金中各元素的重量百分比含量为：Mn 12~32%，Si 4~7%，Cr 0~14%，Ni 0~8%，Ti 0~1%，Nb0~2%，Cu 0~1%，Co 0~2%，V 0~2%，Mo 0~2%，Al 0~3%，C 0~0.2%，N 0~0.2%，余为Fe和不可避免的杂质；具体步骤如下：/n（1）先将铁锰硅基形状记忆合金在1260℃~1300℃处理5分钟至1小时；/n（2）然后循环以下处理过程不低于一次：以0.1℃每分钟~10℃每分钟的速度冷却至1100℃~1200℃并处理5分钟至30分钟；接着以0.1℃每分钟~10℃每分钟的速度加热至1260℃~1300℃并处理5分钟至1小时；/n（3）最后以0.1℃每分钟~5℃每分钟的速度冷却至1150℃~1200℃后水冷至室温。/n
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