[发明专利]一种TSV填孔方法

摘要

本发明公开了一种TSV填孔方法，属于微电子组件技术领域。该方法在硅基片上进行刻蚀盲孔、研磨抛光形成通孔，接着通过通孔溅射、前处理、阶梯电镀等工艺，获得填充率可达100％的TSV铜孔。本发明方法具有过程简便、填充率高的优点，且方法简单易行、一致性好，便于批量化生产，特别适用于高密度电气互连应用，是实现高速、高频、高密度组件的关键技术。

主权项

1.一种TSV填孔方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在Si基片正面进行光刻和刻蚀，形成孔径为5～150μm、深度为100～350μm的盲孔，然后去胶；(2)将步骤(1)处理后的基片背面进行研磨、抛光处理直至露出刻蚀孔，然后进行清洗、烘干，接着双面生长SiO2层，所述SiO2层覆盖基片的正反面以及孔内壁；(3)将步骤(2)处理后的基片进行背面贴膜处理；(4)将步骤(3)处理后的基片进行正面溅射处理，依次溅射Ti和Cu，其中，Ti厚度为400nm～800nm，Cu厚度为100nm～500nm；(5)对步骤(4)处理后的基片进行刻蚀处理，去除基片正面及孔内上部的Cu溅射层，并依次进行流水清洗、水枪冲洗和氮气吹干；(6)将步骤(5)处理后的基片进行背面曝光处理，采用紫外光曝光60秒以上，之后揭膜；(7)将步骤(6)处理后的基片用稀酸进行超声清洗，接着依次水洗、水超声、水洗；(8)将步骤(7)处理后的基片采用阶梯电流密度进行镀铜处理，完成TSV孔的填充。