[发明专利]一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构有效
| 申请号： | 201811092252.6 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110926620B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 宋春晖;曹清政;王加朋;王莹莹 | 申请（专利权）人： | 北京振兴计量测试研究所 |
| 主分类号： | G01J5/02 | 分类号： | G01J5/02;G01J5/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100074 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于单晶硅基底的红外靶标及其制作方法、保护结构，红外靶标包括单晶硅基底，单晶硅基底的厚度为100μm，单晶硅基底上设置有镂空图形，单晶硅基底的反射面上设置有高反射率膜，高反射率膜上设置有保护膜；采用单晶硅作为基底，使其在镂空图形的加工过程中不会产生表面变形，并且便于抛光和镀膜，不产生塑性变形，保证靶标表面的平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 单晶硅 基底 红外 靶标 及其 制作方法 保护 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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