[发明专利]一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管及制备方法，该制备方法包括：对所述衬底进行清洗和干燥处理，并在所述衬底上设置阳极层；然后进行紫外臭氧处理；然后在所述衬底的阳极层上制备空穴传输层；在空穴传输层上旋涂钙钛矿材料掺杂紫外固化剂的混合溶液，然后进行退火处理，同时使用紫外光照射，得到交联钙钛矿薄膜形成的发光层；再通过在所述发光层上通过蒸镀制备电子传输层和阴极层；最后进行封装。本发明通过将钙钛矿材料掺杂紫外固化剂，采用紫外光照射制备发光层，使得生成的钙钛矿薄膜致密连续，结晶性好，抗水氧腐蚀能力强，从而提高了钙钛矿发光二极管的亮度和效率，并提升器件稳定性。

主权项

1.一种基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：/nS1、对衬底(10)进行清洗和干燥处理，并在所述衬底(10)上设置阳极层(20)；/nS2、对经清洗和干燥处理后的所述衬底(10)进行紫外臭氧处理；/nS3、在经紫外臭氧处理后的所述衬底(10)的阳极层(20)制备空穴传输层(30)；/nS4、在所述空穴传输层(30)上旋涂钙钛矿材料掺杂紫外固化剂的混合溶液，在旋涂完成后进行退火处理，并在退火处理过程中使用紫外光照射，激发交联反应，得到交联钙钛矿薄膜形成的发光层(40)；/nS5、通过在所述发光层(40)上蒸镀电子传输材料得到电子传输层(50)，然后在所述电子传输层(50)上蒸镀金属氧化物薄膜或金属薄膜得到阴极层(60)；/nS6、在步骤S5处理后进行封装，得到基于紫外热退火工艺的钙钛矿发光二极管；/n步骤S4中，在旋涂的过程中滴加氯苯反溶剂。/n