[发明专利]一种湿法黑硅制绒清洗槽、制绒机台及湿法黑硅制绒方法在审
| 申请号： | 201811068621.8 | 申请日： | 2018-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109326538A | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 孟少东;黄明;李超;徐昆 | 申请（专利权）人： | 江西展宇新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/0236;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 334100 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种湿法黑硅制绒清洗槽，包括槽体、花篮、加热板、循环管道及循环泵，在所述湿法黑硅制绒清洗槽中，通过兆声波发生器，所述兆声波发生器设置在所述槽体的底部，用于产生高能声波，推动清洗液分子连续冲击黑硅基片表面。本发明通过推动清洗液分子连续冲击黑硅基片表面，使黑硅基片表面吸附的颗粒等污染物离开基片进入溶液中，从而去除黑硅基片表面的污染物，除此之外，兆声波发生器产生的高能声波，可用于清除小于1微米的污染物微粒，同时对表面的损伤较小。本申请还公开了一种具有上述有益效果的制绒机台及湿法黑硅制绒的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 黑硅 湿法 基片表面 制绒 制绒清洗 发生器 兆声波 机台 声波 连续冲击 清洗液 槽体 污染物 污染物微粒 循环管道 加热板 循环泵 可用 去除 吸附 花篮 损伤 申请 | ||
【主权项】：
1.一种湿法黑硅制绒清洗槽，所述湿法黑硅制绒清洗槽包括槽体、花篮、加热板、循环管道及循环泵，其特征在于，包括：兆声波发生器，所述兆声波发生器设置在所述槽体的底部，用于产生高能声波，推动清洗液分子连续冲击黑硅基片表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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